Research Institute of Electronics Shizuoka University Hamamatsu, Japanc;
Seebeck coefficient; Si on insulator; Thermoelectric material; nanostructure; thermopile infrared photodetector;
机译:声子拖曳效应对超薄P掺杂绝缘子上Si层塞贝克系数的影响
机译:声子拖曳效应对超薄P掺杂绝缘子上Si层塞贝克系数的影响
机译:绝缘层上超薄硅层的塞贝克系数
机译:通过调整其FERMI能量来超薄SI层塞贝克系数的变异
机译:正电子和电子能带和波函数,费米表面,态密度,铍的霍尔系数和正电子AN灭,采用了新的布里渊区集成技术。
机译:改善塞贝克系数的多孔模板中原子层沉积(ALD)纳米层压板热电薄膜合成的研究进展
机译:绝缘体上超薄硅层的塞贝克系数