...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Phonon drag effect on Seebeck coefficient of ultrathin P-doped Si-on-insulator layers
【24h】

Phonon drag effect on Seebeck coefficient of ultrathin P-doped Si-on-insulator layers

机译：声子拖曳效应对超薄P掺杂绝缘子上Si层塞贝克系数的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The contribution of the phonon drag effect to the Seebeck coefficient of P-doped ultrathin Si-on-insulator (SOI) layers with a thickness of 9–100 nm is investigated for near-room-temperature applications. The contribution is found to be significant in the lightly doped region and to depend on the carrier concentration with increasing carrier concentration above ∼5 × 1018 cm−3. Moreover, the contribution is not influenced by SOI thickness above 9 nm. On the basis of phonon mean-free-path calculations considering phonon scattering processes, the phonon drag part of the SOI Seebeck coefficient in the lightly doped region is mainly governed by phonon-phonon scattering. Furthermore, in higher concentration regions, the dependence of phonon drag can be qualitatively explained by the interaction between phonons and doped impurities.
机译：对于近室温应用，研究了声子拖曳效应对厚度为9-100nm的P掺杂超薄绝缘体上硅（SOI）层的塞贝克系数的影响。发现该贡献在轻掺杂区中是显着的，并且取决于载流子浓度，当载流子浓度增加到约5×10 18 cm -3 时。而且，该贡献不受9 nm以上SOI厚度的影响。根据考虑声子散射过程的声子平均自由程计算，轻掺杂区SOI塞贝克系数的声子拖曳部分主要由声子-声子散射控制。此外，在高浓度区域，声子阻力的依赖性可以通过声子与掺杂杂质之间的相互作用来定性解释。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2014年第10期|1-4|共4页
  • 作者

    Salleh F.; Oda T.; Suzuki Y.; Kamakura Y.; Ikeda H.;

  • 作者单位

    Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号