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Dependence of oxidation process on various oxidizing conditions

机译:氧化过程对各种氧化条件的依赖

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摘要

This paper analyses effect of various parameters like temperature, oxidizing species, crystallographic orientation of wafer and time on thickness of oxide grow on a p type silicon. The process of oxidization is modeled by using a numeric solver that works on finite element technique. It is useful to model and compare kinetics of thermal oxidation for both thin and thick oxide films.
机译:本文分析了温度,氧化物种,晶片的晶体学取向和时间等各种参数对p型硅上氧化物厚度的影响。氧化过程通过使用在有限元技术上运行的数值求解器进行建模。对薄和厚氧化膜的热氧化动力学进行建模和比较很有用。

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