【24h】

Dependence of oxidation process on various oxidizing conditions

机译:氧化过程对各种氧化条件的依赖性

获取原文

摘要

This paper analyses effect of various parameters like temperature, oxidizing species, crystallographic orientation of wafer and time on thickness of oxide grow on a p type silicon. The process of oxidization is modeled by using a numeric solver that works on finite element technique. It is useful to model and compare kinetics of thermal oxidation for both thin and thick oxide films.
机译:本文分析了各种参数,如温度,氧化物种,晶片晶体取向和氧化物厚度在P型硅上生长的效果。 通过使用在有限元技术上工作的数字求解器来建模氧化过程。 它对模拟和比较热氧化膜的热氧化动力学是有用的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号