Study of current collapse in AlGaN/GaN HEMTs passivated with sputter-deposited SiO2 and SiNx

著录项

• 来源
  《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》|2014年|1-2|共2页
• 会议地点 Kyoto(JP)
• 作者

  Kakegami T.; Ohi S.; Sengendo K.P.; Tokuda H.; Kuzuhara M.;

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• 作者单位

  Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, Japan;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Aluminum gallium nitride; Gallium nitride; HEMTs; Logic gates; MODFETs; Passivation; Switches; AlGaN/GaN; HEMTs; SiNx; SiO2; current collapse;

  机译：氮化铝镓；氮化镓HEMT；逻辑门MODFET;钝化；开关； AlGaN / GaN； HEMT； SiNx; SiO2;当前崩溃；;