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Development of solution-derived diffusion barrier layer for back-contact crystalline silicon solar cell

机译:用于背接触式晶体硅太阳能电池的溶液衍生扩散阻挡层的开发

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摘要

In order to reduce the back-contact silicon solar cell manufacturing process cost, polysilazane solution is used to form SiO2 diffusion barrier layer in this study. The thickness and refractive index of SiO2 film is evaluated by spectroscopic ellipsometer measurement. Sheet resistance measurement and SIMS measurement revealed that polysilazane-derived SiO2 layer presents excellent barrier effect for boron and phosphorous diffusion process, while SiO2 deposited by plasma chemical vapor deposition is available for only phosphorous diffusion process.
机译:为了降低背接触式硅太阳能电池的制造工艺成本,本研究采用聚硅氮烷溶液形成SiO2扩散阻挡层。 SiO 2膜的厚度和折射率通过椭圆偏振光谱仪测量来评估。薄层电阻测量和SIMS测量表明,聚硅氮烷衍生的SiO 2层对硼和磷的扩散过程具有优异的阻挡作用,而通过等离子体化学气相沉积法沉积的SiO 2仅可用于磷的扩散过程。

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