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【24h】

Design of a High-Density, Diode-Less 1.2 kV, 90 A SiC MOSFET Half-Bridge Power Module

机译：高密度，少二极管，1.2 kV，90 A SiC MOSFET半桥功率模块的设计

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来源
《2016 COES annual conference proceedings》|2016年|1-26|共26页
会议地点 Blacksburg VA(US)
作者
Christina DiMarino; Wenli Zhang; Nidhi Haryani; Rolando Burgos; Dushan Boroyevich;
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