首页> 外文会议>平成28年 電気学会 産業応用部門大会 >GaN-FET の連鎖的誤動作を抑制するためのソース端子のインダクタンスを考慮した配線インダクタンス設計指針
【24h】

GaN-FET の連鎖的誤動作を抑制するためのソース端子のインダクタンスを考慮した配線インダクタンス設計指針

机译:考虑源极终端电感来抑制GaN-FET链故障的布线电感设计指南

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摘要

近年,窒化ガリウムを材料とした半導体素子であるGaNFETrnが,次世代半導体スイッチング素子として注目されてrnいる。このGaN-FET は,従来から広く用いられているSi-rnMOSFET と比較すると,低オン抵抗,かつ,高速スイッチrnング性能を兼ね備えていることが知られている(1)(2)。オン抵rn抗とスイッチング速度は素子の損失と深く関係している。rn低オン抵抗であることから,導通損が低減できる。また,高rn速スイッチングにより,スイッチング損失を低減できる。そrnのため,GaN-FET は,電力変換機器の小型化・高効率化にrn大きく貢献するとして期待されている。
机译:近年来,作为氮化镓制成的半导体器件的GaNFET rn作为下一代半导体开关器件引起了关注。众所周知,与过去已广泛使用的Si-rnMOSFET相比,这种GaN-FET具有低导通电阻和高速开关性能[1] [2]。导通电阻和开关速度与器件损耗密切相关。 rn低导通电阻降低了传导损耗。而且,可以通过高速开关来减少开关损耗。因此,GaN-FET有望对功率转换设备的小型化和高效率做出巨大贡献。

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    岡山大学 大学院自然科学研究科〒700-8530 岡山県岡山市北区津島中 3-1-1;

    岡山大学 大学院自然科学研究科〒700-8530 岡山県岡山市北区津島中 3-1-1;

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