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首页> 外文会议>22nd Annual Semiconductor Pure Water and Chemicals Conference Feb 17-19, 2003 Santa Clara, CA >Determination of Anions on Silicon Wafer by Vapor Phase Decomposition - Ion Chromatography
【24h】

Determination of Anions on Silicon Wafer by Vapor Phase Decomposition - Ion Chromatography

机译：气相分解-离子色谱法测定硅片上的阴离子

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The study adopted VPD (Vapor Phase Decomposition) for wafer preparation procedure and IC (Ion Chromatography) for the anions determination of 300mm bare wafer surface, native oxide layer and thermal oxide film. This developed method has been shown its features on automatic pre-treatment for reduction of contamination from traditional manual operation, faster and more consistent analysis capability for routine job such as incoming wafer inspection as well as the specific application in film residue analysis. For anions recovery test on 100ng spiked wafer surface in this experiment, excellent average recoveries were obtained for 5 kinds of critical anions (Cl~-, Br~-, NO_3~-, PO_4~(3-) and SO_4~(2-)) at level of 90% to 125%. This promising method of combining HF vapor phase decomposition and IC determination can be even applied at evaluation of anion residue in thermal oxide film of 300 mm wafer that can't be done by traditional hot ultra pure water (UPW) soaking method.
机译：该研究采用VPD（汽相分解）进行晶片制备，并采用IC（离子色谱法）测定300mm裸晶片表面，天然氧化物层和热氧化膜中的阴离子。这种先进的方法已显示出其自动预处理功能，可减少传统手动操作带来的污染，并具有更快，更一致的分析能力，可用于常规工作，例如来料晶圆检查以及薄膜残留物分析的特定应用。在此实验中，对100ng加标晶片表面上的阴离子进行回收率测试，获得了5种关键阴离子（Cl〜-，Br〜-，NO_3〜-，PO_4〜（3-）和SO_4〜（2-）的优异平均回收率。 ）的水平在90％到125％之间。这种将HF气相分解和IC测定结合起来的有前途的方法甚至可以应用于评估300 mm晶片的热氧化膜中的阴离子残留，而这是传统的热超纯水（UPW）浸泡方法无法做到的。

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