Universityof Lyon, Lab. H. Curien UMR CNRS 5516, Saint-Etienne, 42000, France,On leave from ISSP Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, 1784, Bulgaria;
Universityof Lyon, Lab. H. Curien UMR CNRS 5516, Saint-Etienne, 42000, France;
Universityof Lyon, Lab. H. Curien UMR CNRS 5516, Saint-Etienne, 42000, France;
机译:通过激光干涉光刻和干法蚀刻制造高色散,高效率的透射光栅
机译:用于高质量主光栅的纳米压印模板的简单且低成本的纳米加工工艺:摩擦诱导的选择性蚀刻
机译:选择性湿法刻蚀工艺的优化,以制造高纵横比和均匀的多层光栅参考材料
机译:湿法蚀刻湿法蚀刻的高效率高度选择性亚波长
机译:高性能半导体器件的选择性湿法蚀刻和腐蚀工艺的基础研究。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:反应离子束蚀刻高度分散,高效传输光栅的VIS范围
机译:太赫兹频段增强性能的双层频率选择性亚波长栅格偏振器的设计,制造和测试