University Bonn, ISKP, Nussallee 14-16, D-53115 Bonn, Germany;
positron annihilation parameters; fine-grained; porous; positron ther-malization and diffusion; grain-boundaries; pores;
机译:正电子An灭作为表征多孔材料的方法
机译:正电子湮没光谱,以表征核裂变和融合材料中的辐射诱导的空位缺陷
机译:以正电子an没为特征的CuIn(Ga)Se_2太阳能电池材料缺陷:生长后退火效应
机译:细粒和多孔材料的缺陷,其特征在于正电子湮没
机译:三维正电子an没动量测量技术用于测量6H碳化硅中的氧原子缺陷。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:用正电子湮没法表征某些技术上重要材料中离子注入引起的缺陷
机译:正电子湮没研究陶瓷和薄膜pb(Zr,Ti)O3材料中的空位相关缺陷