首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >バッファー層を用いたSi基板上への高品位鉄酸化物薄膜の作製
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バッファー層を用いたSi基板上への高品位鉄酸化物薄膜の作製

机译:利用缓冲层在硅衬底上制备高质量的氧化铁薄膜

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摘要

Si基板上に種々の機能性薄膜を作製することはデバイス応用にとって重要なプロセスである。例えば、Fe_3O_4 (magnetite) はその高いスピン偏極率からスピントロニクスデバイス用材料として期待されている物質であるが、Si基板上に直接作製した報告は少なく、高品位な薄膜を作製するにはAl_₂O_₃などのバッファー層を使用する方法がとられている 1。なぜなら、Siの酸化物は鉄酸化物より熱化学的に安定であるため、基板の Si が鉄酸化物を還元することが懸念されるからである。そこで、筆者らはバッファー層にAl_2O_3と同様に化学的に安定で、かつAl_2O_3よりもFe_₃O_₄との格子整合性が高いMgOに着目し、単相のエピタキシャルFe₃O_₄薄膜を作製することを目標に研究を行った。
机译:在硅衬底上制造各种功能薄膜是器件应用的重要过程。例如,Fe_3O_4(磁铁矿)由于其高的自旋极化性而有望作为自旋电子器件的材料,但很少有报道称它直接形成在Si衬底上,而Al_2O_3等可用于制造高电子密度的物质。品质的薄膜,采用使用1的缓冲层的方法。这是因为Si的氧化物在化学上比氧化铁更稳定,并且存在基板的Si可能还原氧化铁的担忧。因此,作者着眼于MgO,其目的是生产单相外延Fe 3 O 3薄膜,该MgO在缓冲层中化学性质像Al_2O 3一样稳定,并且与Fe 2 O 3具有更高的晶格一致性。

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