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首页> 外文会议>75th ARFTG Microwave Measurements Conference >Harmonic load pull of high-power microwave devices using fundamental-only load pull tuners
【24h】

Harmonic load pull of high-power microwave devices using fundamental-only load pull tuners

机译：仅使用基本负载拉力调谐器的大功率微波设备的谐波负载拉力

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This paper presents a high-power high-efficiency PA design method using traditional fundamental-frequency load pull tuners. Harmonic impedance control at the virtual drain is accomplished through the use of tunable pre-matching circuits and full-wave FEM modeling of package parasitics. A 10-mm gate periphery GaN transistor from TriQuint is characterized using the method, and load-pull contours are presented illustrating the dramatic impact of varying 2nd harmonic termination. A 3rd harmonic termination is added to satisfy conditions for class-F−1 load pull, resulting in an 8% efficiency improvement over the best-case 2nd harmonic termination. The method is verified by design and measurement of a 36-W class-F−1 PA prototype at 2.14GHz with 81% drain efficiency and 14.5 dB gain (78% PAE) in pulsed operation.
机译：本文提出了一种使用传统基频负载牵引调谐器的大功率高效功率放大器设计方法。通过使用可调预匹配电路和封装寄生的全波FEM建模，可以实现虚拟漏极的谐波阻抗控制。使用该方法对TriQuint的10mm栅极外围GaN晶体管进行了表征，并给出了负载拉线轮廓，说明了变化的二次谐波终端的巨大影响。添加了三次谐波终端，以满足F -1 类负载牵引的条件，与最佳情况的二次谐波终端相比，效率提高了8％。该方法已通过设计和测量36W的F −1 PA原型在2.14GHz时进行了验证，该原型在脉冲操作中具有81％的漏极效率和14.5 dB的增益（78％PAE）。

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