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首页> 外文会议>8th International Workshop on Critical Currents in Superconductors Kitakyusbu, Japan 27-29 May 1996 >Flux creep, bulk pinning and edge barriers in BSCCO 2212 single crystals
【24h】

Flux creep, bulk pinning and edge barriers in BSCCO 2212 single crystals

机译：BSCCO 2212单晶中的助焊剂蠕变，体钉扎和边缘势垒

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Dynamic relaxation of the global magnetisation of high quality BSCCO 2212 single crystals has been studied. We demonstrate for the first time using global measurements that the increase of current at the anomalous "arrow head" feature is related to the penetration of a Bean type profile through the sample at field H~*. We show that at H~* the vortex lattice softens and flux creep is enhanced. The fast creep regime survives over a narrow field range up to a field H_b., which we associate with the irreversibility line of the bulk pinning.
机译：已经研究了高质量BSCCO 2212单晶的整体磁化强度的动态松弛。我们首次使用全局测量结果证明，异常“箭头”特征处的电流增加与Bean类型的剖面穿过H〜*区域的样品的渗透有关。我们表明，在H〜*处，涡旋晶格软化，通量蠕变增强。快速蠕变状态在狭窄的磁场范围内得以生存，直到磁场H_b。，我们将其与批量钉扎的不可逆线相关联。

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