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首页> 外文会议>Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology(CS MANTECH); 20050411-14; New Orleans,LA(US) >A High-Performance 0.13-μm AlGaAs/InGaAs pHEMT Process Using Sidewall Spacer Technology
【24h】

A High-Performance 0.13-μm AlGaAs/InGaAs pHEMT Process Using Sidewall Spacer Technology

机译：使用侧壁间隔器技术的高性能0.13-μmAlGaAs / InGaAs pHEMT工艺

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A robust and manufacturable high-performance 0.13 μm gate length AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High-Electron Mobility Transistor (pHEMT) process on 150 mm substrates is presented. This process, named TQP13, is unique in that the 0.13 μm gate lengths are achieved using cost effective I-Iine photolithography in conjunction with sidewall spacer technology. The process features a depletion-mode transistor with a nominal pinch-off voltage of -300 mV, on-resistance of 0.8 ohm-mm, extrinisic transconductance of 750 mS/mm, gate-to-drain breakdown voltage of 9 V, unity current gain cut-off frequency of 110 GHz (peak), maximum frequency of oscillation of > 200 GHz, Idss of 90 mA/mm, and Imax (V_(gs)=+0.7 V) of 500 mA/mm. Passive components include 0.34 fF/μm~2 MIM capacitors, 105 ohm/square epitaxial resistors, precision 50 ohm/square NiCr resistors, and low-loss inductors using three levels of metallizations, two local and one airbridge. A wide variety of applications can be realized over a broad frequency range including low-noise amplifiers for consumer Direct Broadcast Satellite dish systems (Ku-band) and medium power amplifiers for automotive radar (W-band), for example.
机译：提出了一种鲁棒且可制造的高性能，0.13μm栅极长度的AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），用于150 mm衬底。此过程称为TQP13，其独特之处在于，使用具有成本效益的I-Iine光刻技术与侧壁间隔物技术相结合，可实现0.13μm的栅极长度。该工艺采用耗尽型晶体管，其名义夹断电压为-300 mV，导通电阻为0.8 ohm-mm，本征跨导为750 mS / mm，栅漏击穿电压为9 V，单位电流增益截止频率为110 GHz（峰值），最大振荡频率> 200 GHz，Idss为90 mA / mm，Imax（V_（gs）= + 0.7 V）为500 mA / mm。无源元件包括0.34 fF /μm〜2 MIM电容器，105欧姆/平方外延电阻，精密的50欧姆/平方NiCr电阻以及使用三层金属化层，两层局部和一层气桥的低损耗电感器。可以在很宽的频率范围内实现各种各样的应用，例如，包括用于消费者直接广播卫星天线系统（Ku-band）的低噪声放大器和用于汽车雷达（W-band）的中功率放大器。

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