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Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology
Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology
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1.
Flip Chip Technology Vendor Overview
机译:
翻转芯片技术供应商概述
作者:
Mark S. Hauhe
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Active Array;
Flip chip;
MMIC;
2.
Removal of Gold Impregnated Post-Etch Residue from Front and Backside Vias in a Single Process
机译:
在单个过程中从前和背面透射到浸渍蚀刻后残留物的去除
作者:
John Moore
;
Sergio Luna
;
Tertius Rivers
;
Bill Howell
;
Chad Becker
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Via;
Plasma etching;
Sputtered Au;
ECD Au;
BCB;
3.
Direct monitoring of hot-carrier accumulated charge in GaN HEMT and PHEMT devices
机译:
直接监控GaN HEMT和PHEMT设备中的热载波累积电荷
作者:
A. Stopel
;
A. Khramtsov
;
O. Katz
;
S. Solodky
;
T. Baksht
;
Y. Knafo
;
M. Leibovitch
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
HEMT;
surface photovoltage spectroscopy;
walkout;
device design;
impact ionization;
4.
Market Opportunities in the Age of Seamless Mobility
机译:
市场机遇在无缝移动性时代
作者:
Bruce A. Bernhardt
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Seamless Mobility;
Heterogeneous communications;
GSM;
UMTS;
WLAN;
WiFi;
WiMAX;
5.
Transfer from MHEMT to GaN HEMT Technology: Devices and Integration
机译:
从MHEMT转移到GaN Hemt技术:设备和集成
作者:
R. Vandersmissen
;
J. Das
;
W. Ruythooren
;
J. Derluyn
;
M. Germain
;
D. Xiao
;
D. Schreurs
;
G. Borghs
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN HEMT;
Sapphire;
Device integration;
MCM-D;
Laser lift-off;
6.
Resistance and Inductance of Through-Wafer Vias: Measurement, Modeling, and Scaling
机译:
通过晶圆通孔的电阻和电感:测量,建模和缩放
作者:
Martin J. Brophy
;
Thorsten Saeger
;
Wes Mickanin
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
through-wafer vias;
substrate vias;
test and measurement;
modeling;
7.
Study of Thermal Coupling Effect in GaAs Heterojunction Bipolar Transistors by Using Simple Current Mirror Circuit
机译:
使用简单电流镜电路研究GaAs异质结双极晶体管的热耦合效应
作者:
Peter Dai
;
Pete Zampardi
;
Kai Kwok
;
Cristian Cismaru
;
Ravi Ramanathan
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaAs;
HBT;
current mirror;
thermal coupling;
thermal resistance;
8.
Re-configurable MMIC: on-wafer fine tuning capabilities
机译:
重新配置MMIC:晶圆上调功能
作者:
M. Vazokha
;
S. Solodky
;
R. Ben-Or
;
J. Kaplun
;
I. Ortenberg
;
M. Leibovitch
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
re-configurable MMIC;
tunable capacitor;
9.
4-inch GaN HEMT Epiwafers with less Wafer Bow
机译:
4英寸GaN Hemt epiwere,薄片较少
作者:
Takeshi Tanaka
;
Kazuto Takano
;
Hajime Fujikura
;
Tomoyoshi Mishima
;
Yoshiharu Kohji
;
Hiroyuki Kamogawa
;
Takeshi Meguro
;
Yohei Otoki
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN;
HEMT;
MOVPE;
epitaxy;
wafer bow;
10.
The Effects of Hydrogen Bromide and Argon-Hydrogen on the Plasma Processing on the Surface Structure of HgCdTe
机译:
溴化物和氩气对HGCDTE表面结构等离子体处理的影响
作者:
A. J. Stoltz
;
E. P. G. Smith
;
J. D. Benson
;
J. B. Varesi
;
G. M. Venzor
;
M. Devre
;
J. I. Shin
;
P. R. Boyd
;
J. H. Dinan
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
ICP;
ECR;
HBr;
HREED;
HgCdTe;
11.
Investigation of Contact Metal Stacks for Submicron GaN HEMT
机译:
亚微米锥形叠层接触金属堆的研究
作者:
Y. Knafo
;
I. Toledo
;
I. Hallakoun
;
J. Kaplun
;
G. Bunin
;
T. Baksht
;
B. Hadad
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN HEMT;
ohmic contacts;
schottky contacts;
12.
A Simple Approach to Eliminate Occasional Grass Formation In ICP Backside Via Etch Process
机译:
一种简单的方法,可以通过蚀刻过程消除ICP背面偶尔的草地形成
作者:
Joe Zhou
;
Daniel Hou
;
Cindy Lee
;
Ahmad Ranjbari
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaAs devices;
backside;
via etch;
grass formation;
13.
The Compound Semiconductor Technology Roadmap Embedded in the 2003 ITRS: Implications for the MANTECH Community
机译:
嵌入2003 ITRS中的复合半导体技术路线图:对曼特科社区的影响
作者:
Herbert S. Bennett
;
Julio Costa
;
Anthony A. Immorlica
;
Charles E. Weitzel
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
14.
SiC MESFET and MMIC Technology Transition to Production
机译:
SiC MESFET和MMIC技术转型到生产
作者:
J. W. Milligan
;
J. Henning
;
S. T. Allen
;
A. Ward
;
J. W. Palmour
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiC;
MESFET;
MMIC;
HPSI;
EW;
15.
A Review of Night Imaging Technologies- Innovations for the Visible to Long Wave Infrared Systems
机译:
夜幕成像技术的综述 - 长波红外系统可见的创新
作者:
Joe Pellegrino
;
E. Bender
;
R. Stefanik
;
R. Draper
;
P. Norton
;
N. Supola
;
J. Campbell
;
P. Perconti
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
infrared;
detectors;
image intensification;
microchannel plates;
16.
Large Area Silicon Carbide Power Devices on 3 inch wafers and Beyond
机译:
3英寸晶圆和超越的大面积碳化硅电源装置
作者:
J.W. Palmour
;
A. Agarwal
;
S.-H. Ryu
;
M. Das
;
J. Sumakeris
;
A. Powell
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiC;
power;
substrates;
schottky diode;
PiN diode;
thyristor;
17.
Investigation of Semi-Insulating SiC Wafers Using Contactless Topographic and Temperature-Dependent Resistivity Analysis
机译:
非接触式地形和温度依赖性电阻率分析的半绝缘SiC晶片的研究
作者:
Wolfgang Jantz
;
Stefan Muller
;
Rudolf Stibal
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Silicon carbide wafers;
Contactless resitivity mapping (COREMA);
Resistivity;
Activation energy;
Compensation process;
Persistent conductivity;
18.
A Super Ruggedness InGaP/GaAs HBT for GSM Power Amplifiers
机译:
用于GSM功率放大器的超强粗糙Ingap / GaAs HBT
作者:
Yuefei Yang
;
Byounguk In
;
Yaochung Chen
;
Chanh Nguyen
;
Daniel Hou
;
Joe Zhou
;
Kevin Feng
;
Wing Yau
;
Dave Wang
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InGaP/GaAs HBT;
power amplifiers;
GSM;
VSWR;
19.
Stepper-based integrated process on wafer pieces.
机译:
基于步进的晶圆件的综合处理。
作者:
A. Cohen-Nov
;
V. Krasniansky
;
G. Bunin
;
J. Kaplun
;
L.Ortenberg
;
R. Ben-Or
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
pieces;
wafer fragments;
stepper;
permanent mounting;
InP;
20.
Thermally optimized and electrically isolated buffer layer study in high volume HBT manufacturing
机译:
高体积HBT制造中的热优化和电隔离缓冲层研究
作者:
A. Zaman
;
M. Sun
;
W. Sun
;
J. Hu
;
N. Ebrahimi
;
V. Ramanathan
;
P. Zampardi
;
A. Popalzai
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Heterojunction Bipolar Transistors;
Collector isolation;
AlGaAs buffer;
21.
A Highly Uniform and Reliable AlGaN/GaN HEMT
机译:
一个高度均匀和可靠的AlGaN / GaN Hemt
作者:
Junichiro Nikaido
;
Toshihide Kikkawa
;
Shigeru Yokokawa
;
Yasunori Tateno
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN;
HEMT;
current-collapse-free;
base station;
22.
Silicon Nitride Surface Preparation to Prevent Photoresist Blister Defects
机译:
氮化硅表面制备以防止光致抗蚀剂泡罩缺陷
作者:
C. Cheung
;
K. Luo
;
D. Li
;
P. Ngo
;
L. Dang
;
J. Uyeda
;
J. Wang
;
M. Barsky
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
adhesion;
blister;
HMDS;
hydrogen plasma;
oxygen descum;
photoresist defect;
process yield;
silicon nitride;
23.
Neural Network Modeling of Anion Exchange using Reflection High-Energy Electron Diffraction Data
机译:
反射高能电子衍射数据的阴离子交换神经网络建模
作者:
Tomas Sarmiento
;
Gary S. May
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Sb Compounds;
Molecular Beam Epitaxy (MBE);
Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED);
Neural Networks;
24.
Trends and Opportunities for Gallium Arsenide Semiconductors in Handsets
机译:
手机中砷化镓半导体的趋势和机遇
作者:
Paul J. Augustine
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaAs;
Handsets;
Power amplifiers;
Switches;
HBT;
25.
A High-Performance 0.13-μm AlGaAs/InGaAs pHEMT Process Using Sidewall Spacer Technology
机译:
使用侧壁间隔技术的高性能0.13-μmalgaas / Ingaas Phemt工艺
作者:
Andrew T. Ping
;
Wolfgang Liebl
;
Gerard Mahoney
;
Steve Mahon
;
Otto Berger
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlGaAs/InGaAs pHEMT;
sidewall spacer technology;
26.
Removal of Gold Impregnated Post-Etch Residue from Front and Backside Vias in a Single Process
机译:
在单个过程中从前和背面透射到浸渍蚀刻后残留物的去除
作者:
John Moore
;
Sergio Luna
;
Tertius Rivers
;
Bill Howell
;
Chad Becker
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
via;
plasma etching;
sputtered Au;
ECD Au;
BCB;
27.
Evaluation of 4' InP Substrates for Epi-Ready Production MBE Growth
机译:
评价4“INP基材用于EPI READY生产MBE生长
作者:
J. M. Fastenau
;
W. K. Liu
;
D. Lubyshev
;
X. M. Fang
;
Y. Wu
;
C. Doss
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InP Substrates;
MBE;
Surface Morphology;
Interfacial Contamination;
28.
Neural Network Modeling of Anion Exchange using Reflection High-Energy Electron Diffraction Data
机译:
反射高能电子衍射数据的阴离子交换神经网络建模
作者:
Tomas Sarmiento
;
Gary S. May
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Sb compounds;
molecular beam epitaxy (MBE);
reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
neural networks;
29.
Moving past the hype: real opportunities for wide band gap compound semiconductors in RF power markets
机译:
移动过去的炒作:RF电力市场中宽带隙复合半导体的真正机会
作者:
S. McGrath
;
T. Roedle
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
RF power;
cellular base station;
LDMOS;
GaN;
Ga As;
market opportunity;
30.
Gate Leakage Current of AlGaN/GaN HEMTs Device Influenced by Substrate Defects
机译:
基底缺损影响AlGaN / GaN Hemts装置的栅极漏电流
作者:
K. Matsushita
;
H. Sakurai
;
K. Takagi
;
H. Kawasaki
;
Y. Takada
;
T. Sasaki
;
K. Tsuda
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN;
ALGAN;
HEMT;
DEFECT;
GATE LEAKAGE CURRENT;
31.
Thermally optimized and electrically isolated buffer layer study in high volume HBT manufacturing
机译:
高体积HBT制造中的热优化和电隔离缓冲层研究
作者:
A. Zaman
;
M. Sun
;
W. Sun
;
J. Hu
;
N. Ebrahimi
;
V. Ramanathan
;
P. Zampardi
;
A. Popalzai
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
heterojunction bipolar transistors;
collector isolation;
AlGaAs buffer;
32.
Failure Analysis and Process Improvements to a Through Wafer Via Process
机译:
失败分析和通过过程通过晶圆的过程改进
作者:
Jan Campbell
;
Jason Fender
;
Terry Daly
;
Keri Costello
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Through-wafer via;
Reliability;
Adhesion;
33.
IN-LINE RF DEVICE TESTING FOR MONITORING A HIGH VOLUME GaAs HBT PRODUCTION LINE
机译:
在线RF设备测试,用于监控高容量GaAs HBT生产线
作者:
Cristian Cismaru
;
Hal Banbrook
;
Peter J. Zampardi
;
Jing Li
;
James W. Penney
;
Charles McGuire
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaAs;
HBT;
RF test;
On-wafer calibration;
Hybrid-pi model;
34.
A Novel Process for Reduced Dispersion Effects in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN Hemts降低分散效应的新方法
作者:
James Gillespie
;
Antonio Crespo
;
Robert Fitch
;
Gregg Jessen
;
Derrick Langley
;
Neil Moser
;
Dave Via
;
Matthew Williams
;
Mark Yannazzi
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
Passivation;
Dispersion;
35.
A Novel Approach For Hermetic Wafer Scale MEMS RF and GaAs Packaging
机译:
一种新的密封晶片尺度MEMS RF和GaAs包装方法
作者:
Gerard Minogue
;
Ravi Mullapudi
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
36.
Outstanding Issues in Compound Semiconductor Reliability
机译:
化合物半导体可靠性的出色问题
作者:
William J. Roesch
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
reliability;
quality;
mechanisms;
distributions;
acceleration;
defects;
37.
High-Density ECR-Plasma Deposited Silicon Nitride Films for Applications in Ⅲ/Ⅴ-based Compound Semiconductor Devices
机译:
高密度ECR-等离子体沉积硅氮化硅薄膜,用于Ⅲ/Ⅳ的化合物半导体器件应用
作者:
R. E. Sah
;
M. Mikulla
;
H. Baumann
;
F. Benkhelifa
;
R. Quay
;
G. Weimann
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
high-density plasma;
SiN film;
ECR-PECVD;
GaN HEMT;
passivation;
dielectric film;
38.
GaAs-Wafer Dicing Using the Water jet Guided Laser
机译:
GaAs-晶片用喷射引导激光切割
作者:
Delphine Perrottet
;
Akos Spiegel
;
Simone Amorosi
;
Bernold Richerzhagen
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
laser cutting;
water jet guided laser;
GaAs;
compound semiconductors;
thin wafer dicing;
edge grinding;
39.
Issues in scaling production nitride MBE systems
机译:
缩放生产氮化物MBE系统的问题
作者:
M. OSteen
;
M. Sheldon
;
R. Bresnahan
;
T. Bird
;
D. W. Gotthold
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
MBE;
GaN;
HEMT;
40.
InSb-based Quantum Well Transistors for High Speed, Low Power Applications
机译:
基于INSB的量子阱晶体管,用于高速,低功耗应用
作者:
T. Ashley
;
A. R. Barnes
;
L. Buckle
;
S. Datta
;
A. B. Dean
;
M. T. Emeny
;
M. Fearn
;
D. G. Hayes
;
K. P. Hilton
;
R. Jefferies
;
T. Martin
;
K. J. Nash
;
T. J. Phillips
;
W. H. A. Tang
;
R. Chau
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
41.
AlInGaN-based Deep Ultraviolet LED Technology
机译:
基于Alingan的深紫外LED技术
作者:
R. Gaska
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlInGaN;
deep ultra violet;
light emitting diodes;
MOCVD;
42.
Zero Defect Methodology: Is the GaAs Industry Ready?
机译:
零缺陷方法:GaAs Industry是否准备好了?
作者:
Jan Campbell
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
quality;
zero defects;
customer satisfaction;
43.
The Effects of Hydrogen Bromide and Argon-Hydrogen on the Plasma Processing on the Surface Structure of HgCdTe
机译:
溴化物和氩气对HGCDTE表面结构等离子体处理的影响
作者:
A. J. Stoltz
;
E. P. G. Smith
;
J. D. Benson
;
J. B. Varesi
;
G.M. Venzor
;
M. Devre
;
J. I. Shin
;
P. R. Boyd
;
J.H. Dinan
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
ICP;
ECR;
HBr;
HREED;
HgCdTe;
44.
Will GaAs Survive for Wireless PA's ?
机译:
GaAs会对无线PA的生存吗?
作者:
Chuck Weitzel
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiGe;
CMOS;
GaAs;
GaN;
WLAN;
45.
Transfer from MHEMT to GaN HEMT Technology: Devices and Integration
机译:
从MHEMT转移到GaN Hemt技术:设备和集成
作者:
R. Vandersmissen
;
J. Das
;
W. Ruythooren
;
J. Derluyn
;
M. Germain
;
D. Xiao
;
D. Schreurs
;
G. Borghs
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN HEMT;
sapphire;
device integration;
MCM-D;
laser lift-off;
46.
0.15 μm Power pHEMT Manufacturing Technology for Ka- and Q- Band MMIC Power Amplifiers
机译:
0.15μm功率PHEMT MMIC功率放大器的功率PHEMT制造技术
作者:
Sabyasachi Nayak
;
Ming-Yih Kao
;
Aimee Bross
;
Shuoqi Chen
;
Qinghui Wang
;
Sean Hillyard
;
Andrew Ketterson
;
Kenneth Decker
;
Joseph Delaney
;
Keith Salzman
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
POWER AMPLIFIER;
GaAs;
PHEMT;
MMIC;
KA-BAND;
Q-BAND;
MILLIMETER-WAVE;
47.
Bulk Ammonia Supply Solutions for LED Manufacturing
机译:
LED制造的散装氨供应解决方案
作者:
Robert W. Ford
;
Tim Conway
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Ammonia;
Bulk Specialty Gas Supply;
48.
Reliability characterization of high density Metal-Insulator-Metal Capacitors (MIMCAP) fabricated by depositing Silicon Nitride using PECVD in Compound Semiconductor Manufacturing
机译:
通过在化合物半导体制造中使用PECVD沉积氮化硅制备的高密度金属 - 绝缘体 - 金属电容器(MIMCAP)的可靠性表征
作者:
Bhola N. De
;
Mohsen Shokrani
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Reliability;
Processing;
Deposition;
Capacitor;
MIMCAP;
PECVD;
49.
Study of 1/f and 1/f~2 Noise for InP DHBT
机译:
INP DHBT的1 / F和1 / F〜2噪声研究
作者:
Kurt Cimino
;
Yue-ming Hsin
;
S.C. Shen
;
Milton Feng
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
HBT;
Noise;
1/f;
1/f~2;
50.
Reliability Assessment of Production SiC MESFETs
机译:
生产SiC MESFET的可靠性评估
作者:
A. Ward
;
S. T. Allen
;
J. Palmour
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiC;
MESFET;
MMIC;
RELIABILITY;
BROADBAND;
51.
Re-configurable MMIC: on-wafer fine tuning capabilities
机译:
重新配置MMIC:晶圆上调功能
作者:
M. Vazokha
;
S. Solodky
;
R. Ben-Or
;
J. Kaplun
;
I. Ortenberg
;
M. Leibovitch
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Re-configurable MMIC;
Tunable capacitor;
52.
4-inch GaN HEMT Epiwafers with less Wafer Bow
机译:
4英寸GaN Hemt epiwere,薄片较少
作者:
Takeshi Tanaka
;
Kazuto Takano
;
Hajime Fujikura
;
Tomoyoshi Mishima
;
Yoshiharu Kohji
;
Hiroyuki Kamogawa
;
Takeshi Meguro
;
Yohei Otoki
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN;
HEMT;
MOVPE;
Epitaxy;
Wafer Bow;
53.
Stepper-based integrated process on wafer pieces
机译:
基于步进的晶片碎片综合处理
作者:
A. Cohen-Nov
;
V. Krasniansky
;
G. Bunin
;
J. Kaplun
;
L. Ortenberg
;
R. Ben-Or
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Pieces;
Wafer fragments;
Stepper;
Permanent mounting;
InP;
54.
A Highly Uniform and Reliable AlGaN/GaN HEMT
机译:
一个高度均匀和可靠的AlGaN / GaN Hemt
作者:
Junichiro Nikaido
;
Toshihide Kikkawa
;
Shigeru Yokokawa
;
Yasunori Tateno
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN;
HEMT;
Current-collapse-free;
Base station;
55.
GaAs-Wafer Dicing Using the Water jet Guided Laser
机译:
GaAs-晶片用喷射引导激光切割
作者:
Delphine Perrottet
;
Akos Spiegel
;
Simone Amorosi
;
Bernold Richerzhagen
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Laser cutting;
Water jet guided laser;
GaAs;
Compound semiconductors;
Thin wafer dicing;
Edge grinding;
56.
Development of L-band 28V Operation GaAs FET and Optimization for Mass Production
机译:
L波段28V操作GaAs FET的开发和批量生产优化
作者:
H.Haematsu
;
T.Igarashi
;
F.Yamaki
;
A.Nitta
;
K.Inoue
;
H.Kawata
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
57.
All I-line lift-off T-gate process and materials
机译:
所有I线剥离T型栅极工艺和材料
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Ping-Hung Lu
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
I-line;
resist;
T-gate;
lift-off;
GaAs;
58.
Reliability Evaluation of InGaAsN for PA Handset Applications
机译:
宾夕法尼亚州ingaAsn的可靠性评估
作者:
Lance Rushing
;
Pete Zampardi
;
Mike Sun
;
Roger Welser
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InGaAsN;
GAIN;
HBT;
Reliability;
59.
Advanced Low-k Polymer Dielectrics Platform for RF Applications
机译:
用于RF应用的先进的低k聚合物电介质平台
作者:
Masahiro Ito
;
Kaori Tsuruoka
;
Shunsuke Yokotsuka
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
low-k dielectrics;
interconnect;
passivation;
processing;
60.
Reduction of Edge Particles on pHEMT Wafers grown by Production Molecular Beam Epitaxy
机译:
通过生产分子束外延生长的PHEMT晶片上的边缘颗粒
作者:
C. D. Lee
;
P. S. Lyman
;
W. E. Hoke
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Edge Particle;
Oval Defects;
Platen;
Production Molecular Beam Epitaxy;
PHEMT;
61.
Investigation of Contact Metal Stacks for Submicron GaN HEMT
机译:
亚微米锥形叠层接触金属堆的研究
作者:
Y. Knafo
;
I. Toledo
;
I. Hallakoun
;
J. Kaplun
;
G. Bunin
;
T. Baksht
;
B. Hadad
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaN HEMT;
Ohmic contacts;
Schottky contacts;
62.
HBr-based gas cluster ion beam smoothing as a final polish for the production of MBE-epi-ready GaSb wafers
机译:
基于HBR的气体聚类离子束平滑为最终抛光剂,用于生产MBE-EPI-ready Gasb晶片
作者:
S. R. Vangala
;
L. P. Allen
;
V. DiFilippo
;
C. Santeufemio
;
J. Li
;
X. Qian
;
Y. Park
;
K. Krishnaswami
;
B. Zhu
;
G. Dallas
;
D. Bliss
;
H. Dauplaise
;
K. S. Jones
;
W. D. Goodhue
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaSb;
Gas-Cluster-Ion-Beam-Polishing;
Hydrogen Bromide;
Epi-Ready;
MBE;
63.
Large Area Silicon Carbide Power Devices on 3 inch wafers and Beyond
机译:
3英寸晶圆和超越的大面积碳化硅电源装置
作者:
J. W. Palmour
;
A. Agarwal
;
S. H. Ryu
;
M. Das
;
J. Sumakeris
;
A. Powell
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiC;
Power;
Substrates;
Schottky Diode;
PiN Diode;
Thyristor;
64.
HBr-based gas cluster ion beam smoothing as a final polish for the production of MBE-epi-ready GaSb wafers
机译:
基于HBR的气体聚类离子束平滑为最终抛光剂,用于生产MBE-EPI-ready Gasb晶片
作者:
S.R. Vangala
;
L.P. Allen
;
V. DiFilippo
;
C. Santeufemio
;
J. Li
;
X. Qian
;
Y. Park
;
K. Krishnaswami
;
B. Zhu
;
G. Dallas
;
D. Bliss
;
H. Dauplaise
;
K.S. Jones
;
W.D. Goodhue
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaSb;
gas-cluster-ion-beam-polishing;
hydrogen bromide;
epi-ready;
MBE;
65.
Reliability Assessment of Production SiC MESFETs
机译:
生产SiC MESFET的可靠性评估
作者:
A. Ward
;
S.T. Allen
;
J. Palmour
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiC;
MESFET;
MMIC;
reliability;
broadband;
66.
Dense Silicon Nitride for MMIC Protection with Low Compressive Stress Grown in LF PECVD
机译:
用于LF PECVD的低压缩应力的MMIC保护致密氮化硅
作者:
Willy Chiou
;
Brian Lee
;
Benny Ho
;
Gary Hu
;
C.H. Hua
;
D. W. Tu
;
Joe Liu
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
PECVD;
silicon nitride;
low frequency;
stress;
dense;
67.
0.15 μm Power pHEMT Manufacturing Technology for Ka- and Q-Band MMIC Power Amplifiers
机译:
0.15μm功率PHEMT制造技术,用于KA-和Q频段MMIC功率放大器
作者:
Sabyasachi Nayak
;
Ming-Yih Kao
;
Aimee Bross
;
Shuoqi Chen
;
Qinghui Wang
;
Sean Hillyard
;
Andrew Ketterson
;
Kenneth Decker
;
Joseph Delaney
;
Keith Salzman
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
POWER AMPLIFIER;
GaAs;
PHEMT;
MMIC;
KA-BAND;
Q-BAND;
MILLIMETER-WAVE;
68.
LED Technology Trends
机译:
LED技术趋势
作者:
D. Eissler
;
S. Illek
;
G. Bogner
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
LED technology trends;
light extraction;
miniaturisation of LED;
LED power application;
thin film technology;
69.
InGaP HBT Technology Optimization for Next Generation High Performance Cellular Handset Power Amplifiers
机译:
INVAP HBT技术优化下一代高性能蜂窝手机功率放大器
作者:
Terence. C. L. Wee
;
T. C. Tsai
;
J. H. Huang
;
W. C. Lee
;
Y. S. Chou
;
Y. C. Wang
;
W. J. Ho
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InGaP;
HBT;
Power amplifiers;
70.
Performance and Fabrication of GaN/AlGaN Power MMIC at 10 GHz
机译:
10 GHz的GaN / Algan Power MMIC的性能和制造
作者:
F. Benkhelifa
;
R. Kiefer
;
S. Muller
;
F. van Raay
;
R. Quay
;
R. E. Sah
;
M. Dammann
;
M. Mikulla
;
G. Weimann
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
71.
Resistance and Inductance of Through-Wafer Vias: Measurement, Modeling, and Scaling
机译:
通过晶圆通孔的电阻和电感:测量,建模和缩放
作者:
Martin J. Brophy
;
Thorsten Saeger
;
Wes Mickanin
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Through-Wafer Vias;
Substrate Vias;
Test and Measurement;
Modeling;
72.
Stepper Based Sub-0.25μm Process for mm-Wave Applications
机译:
基于步进的Sub-0.25μm工艺,用于MM波应用
作者:
Matthew F. OKeefe
;
James G. E. Mayock
;
D. Mike Brookbanks
;
Jason McMonagle
;
John S. Atherton
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Stepper;
Volume;
Sub-0.25μm;
Manufacturing;
PHEMT;
MMIC;
73.
High Frequency Power Metamorphic HEMT
机译:
高频电源变质箍
作者:
C. S. Whelan
;
K. Herrick
;
J. Laroche
;
K. W. Brown
;
F. Rose
;
Y. Zhang
;
P. Balas
;
R. E. Leoni III
;
W. E. Hoke
;
S. Lichwala
;
J. Kotce
;
T. E. Kazior
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
74.
Advanced Low-k Polymer Dielectrics Platform for RF Applications
机译:
用于RF应用的先进的低k聚合物电介质平台
作者:
Masahiro Ito
;
Kaori Tsuruoka
;
Shunsuke Yokotsuka
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Low-k dielectrics;
Interconnect;
Passivation;
Processing;
75.
Moving past the hype: real opportunities for wide band gap compound semiconductors in RF power markets
机译:
移动过去的炒作:RF电力市场中宽带隙复合半导体的真正机会
作者:
S. McGrath
;
T. Rodle
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
RF power;
Cellular base station;
LDMOS;
GaN;
GaAs;
Market opportunity;
76.
Development of L-band 28V Operation GaAs FET and Optimization for Mass Production
机译:
L波段28V操作GaAs FET的开发和批量生产优化
作者:
H. Haematsu
;
T. Igarashi
;
F. Yamaki
;
A. Nitta
;
K. Inoue
;
H. Kawata
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
77.
All i-line lift-off T-gate process and materials
机译:
所有I线剥离T型栅极工艺和材料
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Ping-Hung Lu
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
I-line;
Resist;
T-gate;
Lift-off;
GaAs;
78.
GaAs Integrated Passive Technology at Freescale Semiconductor, Inc
机译:
GAAS综合无源技术在飞思卡尔半导体,INC
作者:
Jon Abrokwah
;
Lianjun Liu
;
Shun-Meen Kuo
;
Marcus Ray
;
David Maurer
;
James Cotronakis
;
Mel Miller
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Integrated Passive Devices;
GaAs IPD;
Harmonic Filter;
Coupler manufacturing;
79.
Characterization of electrostatic carrier substrates to be used as a support for thin semiconductor wafers
机译:
静电载体基板的表征用作薄半导体晶片的支撑件
作者:
K. Bock
;
C. Landesberger
;
M. Bleier
;
D. Bollmann
;
D. Hemmetzberger
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
electrostatic carrier substrates;
reversible bonding;
thin wafer processing;
'Smart Carrier';
80.
Elimination of Defects Observed Following Patterned TiW-Au Metal Formation
机译:
在图案化的TiW-Au金属形成后观察到消除缺陷
作者:
Jason Fender
;
Terry Daly
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Defects;
TiW;
Au;
Au electroplating;
Plasma etch;
81.
Advances In Processing of Compound Semiconductor Substrates
机译:
化合物半导体基材加工的进展
作者:
C. Brubaker
;
M. Wimplinger
;
A. Malzer
;
P. Lindner
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
82.
A Novel Process for Reduced Dispersion Effects in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN Hemts降低分散效应的新方法
作者:
James Gillespie
;
Antonio Crespo
;
Robert Fitch
;
Gregg Jessen
;
Derrick Langley
;
Neil Moser
;
Dave Via
;
Matthew Williams
;
Mark Yannazzi
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
passivation;
dispersion;
83.
Dense Silicon Nitride for MMIC Protection with Low Compressive Stress Grown in LF PECVD
机译:
用于LF PECVD的低压缩应力的MMIC保护致密氮化硅
作者:
Willy Chiou
;
Brian Lee
;
Benny Ho
;
Gary Hu
;
C. H. Hua
;
D. W. Tu
;
Joe Liu
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
PECVD;
Silicon nitride;
Low frequency;
Stress;
Dense;
84.
A Review of Night Imaging Technologies-Innovations for the Visible to Long Wave Infrared Systems
机译:
夜间成像技术的综述 - 长波红外系统可见的创新
作者:
Joe Pellegrino
;
E. Bender
;
R. Stefanik
;
R. Draper
;
P. Norton
;
N. Supola
;
J. Campbell
;
P. Perconti
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
Infrared;
Detectors;
Image intensification;
Microchannel plates;
85.
Shallow Mesa Isolation of AlSb/InAs HEMT with AlGaSb Buffer Layer Using Inductively Coupled Plasma Etching
机译:
使用电感耦合等离子体蚀刻与Algasb缓冲层的ALSB / INAS HEMT的浅mESA隔离
作者:
P. Nam
;
R. Tsai
;
M. Lange
;
W. Deal
;
J. Lee
;
C. Namba
;
P. Liu
;
R. Grundbacher
;
J. Wang
;
M. Barsky
;
A. Gutierrez-Aitken
;
S. Olson
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlSb/InAs HEMT;
AlGaSb buffer;
mesa isolation;
ICP etching;
86.
Investigation of Semi-Insulating SiC Wafers Using Contactless Topographic and Temperature-Dependent Resistivity Analysis
机译:
非接触式地形和温度依赖性电阻率分析的半绝缘SiC晶片的研究
作者:
Wolfgang Jantz
;
Stefan Mueller
;
Rudolf Stibal
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
silicon carbide wafers;
contactless resitivity mapping (COREMA);
resistivity;
activation energy;
compensation process;
persistent conductivity;
87.
Low Energy Sputter Deposition and Properties of NiCr Thin Film Resistors for GaAs Integrated Circuits
机译:
高能溅射沉积及GaAs集成电路NiCr薄膜电阻器的性能
作者:
Jinhong Yang
;
Paul Miller
;
Fabian Radulescu
;
Ron Herring
;
Kamal Avala
;
Debra Maxwell
;
Li Liu
;
Richard Morton
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
NiCr;
TCR;
thin film resistors;
88.
Production Ready Ultra High Breakdown 6' pHEMT Technology
机译:
生产准备超高击穿6“Phemt技术
作者:
Cheng-Guan Yuan
;
Y. Y. Hsieh
;
T. J. Yeh
;
Chung-Hsu Chen
;
D. W. Tu
;
Yu-Chi Wang
;
Joe Liu
;
Saad Murad
;
Ramon Schook
;
Frans Bontekoe
;
Mark Tomesen
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
89.
25 W X-band GaN on Si MMIC
机译:
在Si Mmic上的25 W X频段GaN
作者:
D. M. Fanning
;
L. C. Witkowski
;
C. Lee
;
D. C. Dumka
;
H. Q. Tserng
;
P. Saunier
;
W. Gaiewski
;
E. L. Piner
;
K. J. Linthicum
;
J. W. Johnson
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
AlGaN/GaN HFET;
GaN-on-Si;
MMIC;
X-band;
High Power Amplifier;
90.
Direct monitoring of hot-carrier accumulated charge in GaN HEMT and PHEMT devices
机译:
直接监控GaN HEMT和PHEMT设备中的热载波累积电荷
作者:
A. Stopel
;
A. Khramtsov
;
O. Katz
;
S. Solodky
;
T. Baksht
;
Y. Knafo
;
M. Leibovitch
;
Yoram Shapira
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
HEMT;
Surface Photovoltage Spectroscopy;
Walkout;
Device design;
Impact ionization;
91.
Manufacturing Engineered wafers for GaN RF power applications
机译:
用于GaN RF Power应用的制造工程晶圆
作者:
Philippe BOVE
;
Hacene LAHRECHE
;
Julien THURET
;
Fabrice LETERTRE
;
Bruce FAURE
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
92.
Improving Final Test Yield and Reliability through Backside Final Outgoing Inspection
机译:
通过背面的最终输出检查提高最终测试产量和可靠性
作者:
Niki Liggins
;
Jan Campbell
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
backside vias;
final outgoing inspection;
93.
Yield Improvement of MESFET Circuits with Idd Ring-Like Pattern
机译:
用IDD环状图案产生MESFET电路的改进
作者:
Y.Z. Wang
;
P. Fowler
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
MESFET;
plating;
idd current;
yield;
94.
IN-LINE RF DEVICE TESTING FOR MONITORING A HIGH VOLUME GaAs HBT PRODUCTION LINE
机译:
在线RF设备测试,用于监控高容量GaAs HBT生产线
作者:
Cristian Cismaru
;
Hal Banbrook
;
Peter J. Zampardi
;
Jing Li
;
James W. Penney
;
Charles McGuire
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
GaAs;
HBT;
RF test;
on-wafer calibration;
hybrid-pi model;
95.
InP Backside Via Formation Using High Etch Rate and Low Temperature HI-Based ICP Etching
机译:
使用高蚀刻速率和低温Hi的ICP蚀刻来形成INP背面。
作者:
Kenji Kotani
;
Takeshi Kawasaki
;
Seiji Yaegassi
;
Hiroshi Yano
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InP;
backside via;
HI;
inductively coupled plasma etching;
96.
Low Energy Sputter Deposition and Properties of NiCr Thin Film Resistors for GaAs Integrated Circuits
机译:
高能溅射沉积及GaAs集成电路NiCr薄膜电阻器的性能
作者:
Jinhong Yang
;
Paul Miller
;
Fabian Radulescu
;
Ron Herring
;
Kamal Avala
;
Debra Maxwell
;
Li Liu
;
Richard Morton
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
NiCr;
TCR;
Thin Film Resistors;
97.
Will GaAs Survive for Wireless PA's ??
机译:
GaAs会对无线PA的生存吗?
作者:
Chuck Weitzel
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
SiGe;
CMOS;
GaAs;
GaN;
WLAN;
98.
Evaluation of 4' InP Substrates for Epi-Ready Production MBE Growth
机译:
评价4'INP基质的EPI READY生产MBE生长
作者:
J. M. Fastenau
;
W. K. Liu
;
D. Lubyshev
;
X.-M. Fang
;
Y. Wu
;
C. Doss
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
InP substrates;
MBE;
surface morphology;
interfacial contamination;
99.
Manufacturing Engineered wafers for GaN RF power applications
机译:
用于GaN RF Power应用的制造工程晶圆
作者:
Philippe BOVE
;
Hacene LAHRECHE
;
Julien THURET
;
Fabrice LETERTRE
;
Bruce FAURE
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
100.
Stepper Based Sub-0.25μm Process for mm-Wave Applications
机译:
基于步进的Sub-0.25μm工艺,用于MM波应用
作者:
Matthew F. OKeefe
;
James G.E. Mayock
;
D. Mike Brookbanks
;
Jason McMonagle
;
John S. Atherton
会议名称:
《Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology》
|
2005年
关键词:
stepper;
volume;
sub-0.25μm;
manufacturing;
pHEMT;
MMIC;
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