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首页> 外文会议>Conference on Integrated Optics: Devices, Materials, and Technologies Ⅵ Jan 21-23, 2002 San Jose, USA >Integrated Bragg gratings in silicon-on-insulator waveguides
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Integrated Bragg gratings in silicon-on-insulator waveguides

机译：绝缘体上硅波导中的集成布拉格光栅

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In our work we have fabricated Bragg grating structures in silicon-on-insulator (SOI) waveguides. SOI waveguides enable integration of both passive and active functions, e.g. thermal, electrical or micromechanical tuning and optical receiving with the gratings. As silicon is a high refractive index material the first order grating period at 1550 nm wavelength is short, only 225 nm, and this period must be precisely controlled. Moreover, the grating must be spatially coherent over its entire length. All this introduces a great challenge for the fabrication techniques used to pattern the grating. Our approach to process gratings in SOI waveguides is based on direct e-beam writing and silicon etching with inductively coupled plasma (ICP). We show results on high aspect ratio Bragg gratings integrated with SOI waveguides with large core size.
机译：在我们的工作中，我们在绝缘体上硅（SOI）波导中制造了布拉格光栅结构。 SOI波导可实现无源功能和有源功能的集成，例如光栅的热，电或微机械调谐和光接收。由于硅是高折射率材料，因此1550 nm波长的一阶光栅周期很短，只有225 nm，必须精确控制该周期。而且，光栅必须在其整个长度上在空间上相干。所有这些对用于图案化光栅的制造技术提出了巨大挑战。我们在SOI波导中处理光栅的方法是基于直接电子束写入和带有电感耦合等离子体（ICP）的硅蚀刻。我们显示了与大芯径SOI波导集成的高宽高比布拉格光栅的结果。

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