RRC "Kurchatov institute", Moscow, 123182;
dielectric thin films; high-k materials; metal-oxide-semiconductor structures; electronic transport phenomena;
机译:超薄栅氧化物中的辐射感应泄漏电流和应力感应泄漏电流
机译:超薄氧化物中应力引起的漏电流退火动力学的测量和建模
机译:一种有效的模型,用于分析通过Si反转层的超薄氧化物和高k栅堆叠的隧穿栅泄漏电流
机译:通过薄氧化物的漏电流的自一致建模
机译:在时序分析,漏电流分析和延迟故障诊断中确定性的模内变化建模。
机译:漏电流引起的并发经颅磁刺激(TMS)和fMRI中的图像伪像:建模和补偿
机译:响应“关于氧化铟锡薄膜质量对氧化铟锡/ n-GaN肖特基接触的反向漏电流的影响的评论appl.phys.Lett.90,046101(2007)”