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首页> 外文会议>Conference on Optical Microlithography XV Pt.2, Mar 5-8, 2002, Santa Clara, USA >Model-Based OPC for 0.13-μm Contacts using 248-nm Att PSM
【24h】

Model-Based OPC for 0.13-μm Contacts using 248-nm Att PSM

机译：使用248-nm Att PSM的基于模型的OPC，用于0.13-μm触点

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Controlling errors of critical dimension (CD) uniformity is crucial to achieving optimal IC performance, high chip yield and long lasting reliability. When the CDs to be resolved are less than the wavelength equipped by a lithographic exposure tool, the chip level CD variations caused by optical proximity effect (OPE) have been found significantly. With the relentlessly reduced CDs in integrated circuits the impact of OPE to chip yield and performance is much more profound and necessitates an inverse correction. In this paper, we report a model-based full-chip OPC on the contact hole layer of 0.13-μm logic circuits using 248-nm photo processing and attenuated phase-shifting mask (Att PSM). The final result demonstrates that OPE of random logic contact hole level can be greatly surpassed and controlled even with mask errors and their enhancement factors included of which are typically quite significant with layers of contact holes.
机译：关键尺寸（CD）均匀性的控制误差对于实现最佳IC性能，高芯片良率和持久可靠性至关重要。当要解析的CD小于光刻曝光工具配备的波长时，已发现由光学邻近效应（OPE）引起的芯片级CD变化。随着集成电路中CD的不断减少，OPE对芯片良率和性能的影响更加深远，需要进行逆校正。在本文中，我们报告了在0.13μm逻辑电路的接触孔层上基于模型的全芯片OPC，它使用248 nm光处理和衰减相移掩膜（Att PSM）。最终结果表明，即使存在掩模错误，也可以大大超越和控制随机逻辑接触孔水平的OPE，并且其中包括的增强因子对于接触孔层而言通常非常重要。

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