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首页> 外文会议>Conference on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology IX, Apr 23-25, 2002, Yokohama, Japan >Early Mask Results of KRS-XE and Current Progress in Improving Sensitivity and Etch Resistance
【24h】

Early Mask Results of KRS-XE and Current Progress in Improving Sensitivity and Etch Resistance

机译：KRS-XE的早期面膜结果以及提高敏感性和耐蚀性的最新进展

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KRS-XE is a chemically amplified resist developed to enable electron-beam lithography for mask making at the 100nm node. This material has been shown to provide an excellent process window for mask manufacturing at this node. Characterization of this material using both 50keV raster and 75keV vector scan e-beam exposure systems will be presented. A higher sensitivity version of this material has been developed specifically for a vector, shaped beam 50keV application. Initial mask manufacturing results for this higher sensitivity version of KRS-XE will be presented for 75keV. In addition, recent developments using KRS-XE formulations modified to achieve high sensitivity and improved etch resistance will be discussed.
机译：KRS-XE是一种化学放大抗蚀剂，开发用于实现电子束光刻，以在100nm节点处制作掩模。该材料已被证明为该节点的掩模制造提供了极好的工艺窗口。将介绍使用50keV栅格和75keV矢量扫描电子束曝光系统对这种材料进行的表征。该材料的更高灵敏度版本专门针对矢量定形束50keV应用而开发。对于75keV，将展示此更高灵敏度版本的KRS-XE的初始掩模制造结果。此外，将讨论使用改良的KRS-XE配方以实现高灵敏度和改善的抗蚀刻性的最新进展。

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