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Implications of triple patterning for 14nm node design and patterning

机译:三重图案化对14nm节点设计和图案化的意义

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摘要

The upcoming 14nm logic node will require lithographic patterning of complex layout patterns with minimum pitches of approximately 44nm to 50nm. This requirement is technically feasible by reusing existing 20nm litho-etch-litho-etch (LELE) double patterni
机译:即将到来的14nm逻辑节点将需要对复杂布局图案进行光刻图案化,其最小间距约为44nm至50nm。通过重复使用现有的20nm光刻-平版蚀刻(LELE)双图案技术,该要求在技术上是可行的

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