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OPC to Improve Lithographic Process Window

机译：OPC改善光刻工艺窗口

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Optical Proximity Correction (OPC) has become an indispensable tool used in deep sub-wavelength lithographic processes. OPC has been quite successful at reducing the linewidth dispersion across a product die, and also improving the overlapping process window of all printed features. This is achieved solely by biasing the mask features such that all print on target at the same dose. Recent advances in process window modeling, combined with highly customizable simulation and correction engines, have enabled process-aware OPC corrections . Building on these advances, the authors will describe a fast Process Window OPC (PWOPC) technique. This technique results in layouts with reduced sensitivity to defocus variations, less susceptibility to bridging and pinching failures, and greater coverage of over/underlying features (such as contact coverage by metal).
机译：光学邻近校正（OPC）已成为在深亚波长光刻工艺中使用的必不可少的工具。 OPC在减少整个产品管芯的线宽分散以及改善所有印刷特征的重叠工艺窗口方面已经非常成功。仅通过偏置掩膜部件，以使所有部件以相同的剂量打印在目标上即可实现。过程窗口建模的最新进展与高度可定制的仿真和校正引擎相结合，已实现了过程感知的OPC校正。在这些进步的基础上，作者将描述一种快速的过程窗口OPC（PWOPC）技术。该技术导致布局对散焦变化的敏感性降低，对桥接和收缩故障的敏感性降低，并且对上层/下层特征的覆盖率更高（例如金属的接触覆盖率）。

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