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Progress in planarized vertical-cavity surface-emitting laser devices and arrays

机译：平面化垂直腔面发射激光器器件和阵列的研究进展

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Abstract: We report batch-processed, totally planar, vertical-cavity top surface emitting GaAs/AlGaAs laser devices and arrays. Different size devices are studied experimentally. We measure continuous- wave threshold currents down to 1.7 mA and output powers $GRT 3.7 mW at room temperature. We also discuss interesting characteristics such as differential quantum efficiencies exceeding unity and multi-transverse mode behavior. An array having 64 $MUL 1 individually-accessed elements is characterized and shown to have uniform room-temperature continuous-wave operating characteristics in threshold current $APEQ 2.1 $POM 0.1 mA, wavelength $APEQ 849.4 $POM 0.8 nm, and output power $APEQ 0.5 $POM 0.1 mW.!13
机译：摘要：我们报告了批处理，全平面，垂直腔顶表面发射的GaAs / AlGaAs激光器件和阵列。实验研究了不同尺寸的设备。我们测量的连续波阈值电流低至1.7 mA，在室温下的输出功率$ GRT为3.7 mW。我们还将讨论有趣的特性，例如超过单位的差分量子效率和多横模行为。具有64个$ MUL 1个单独访问的元素的阵列的特征在于，并显示在阈值电流$ APEQ 2.1 $ POM 0.1 mA，波长$ APEQ 849.4 $ POM 0.8 nm和输出功率$ APEQ 0.5 $ POM 0.1兆瓦！13

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