Designfeatures of a 5V Only 64K-Dynamic MOS RAM

机译：仅5V的64K动态MOS RAM的设计功能

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A single supply, 5 Volt 64k-bit dynamic MOS random access memory chip using some new design features such as boostet wordlines, quiet wordline flip-flops, active restore circuits, substrat bias equalization circuit etc. will be presented.

机译：将介绍采用一些新设计功能的单电源，5伏64k位动态MOS随机存取存储器芯片，例如升压字线，静音字线触发器，有源恢复电路，底层偏置均衡电路等。

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来源
《Eighth European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC '82)》|1982年|P.200-202|共3页
会议地点 Brussels(BE);Brussels(BE)
作者
Weidlich R.;
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作者单位

Siemens AG, Component Div, Munich, Germany;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
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