总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)

郭天雷; 赵发展; 刘刚; 李多力; 李晶; 赵立新; 周小茵; 海潮和; 韩郑生

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在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×10^6 rad（Si）,其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×10^6 rad（Si）的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标.

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来源
《半导体学报》 |2007年第8期|1184-1186|共3页
作者
郭天雷; 赵发展; 刘刚; 李多力; 李晶; 赵立新; 周小茵; 海潮和; 韩郑生;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
部分耗尽SOI; 静态随机存储器; 总剂量; 辐照;

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