PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究

著录项

• 来源
  《核技术》 |2011年第6期|452-456|共5页
• 作者

  李明; 余学峰; 卢健; 高博; 崔江维; 周东; 许发月; 席善斌; 王飞;

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• 作者单位

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  中国科学院研究生院,北京100049;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 射线与物质的相互作用;线性集成电路、模拟集成电路;
• 关键词

  PDSOI; SRAM; 总剂量效应; 功耗电流; 退火效应;