Wide-Range RF Variable Inductor on Si CMOS Chip with MEMS Actuator

机译：具有MEMS驱动器的Si CMOS芯片上的宽范围RF可变电感器

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We propose a novel variable inductor on a Si CMOS chip, whose inductance is of nH-order for GHz applications. The inductance can be varied by shielding the magnetic flux, which uses a metal plate above the inductor. The metal plate can be moved using a MEMS actuator. At 2.45 GHz, the measured inductance is continuously varied from 5.81 nH to 3.80 nH, i.e., the variable range is 34.6 %. The proposed variable inductor can be applied to CMOS RF circuits. The variable inductor achieves multi-band VCO.

机译：我们在Si CMOS芯片上提出了一种新型可变电感器，对于GHz应用，其电感为nH阶。可以通过屏蔽磁通量来改变电感，该磁通量在电感器上方使用金属板。可以使用MEMS致动器来移动金属板。在2.45 GHz下，测得的电感从5.81 nH连续变化到3.80 nH，即可变范围为34.6％。所提出的可变电感器可以应用于CMOS RF电路。可变电感器可实现多频带VCO。

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来源
《European Microwave Conference vol.2; 20041011-14; Amsterdam(NL)》|2004年|P.701-704|共4页
会议地点 Amsterdam(NL)
作者
Hirotaka Sugawara; Yoshiaki Yoshihara; Hiroyuki Ito; Kenichi Okada; Kazuya Masu;
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作者单位

Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259-R2-17 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线通信;雷达;
关键词

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