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Liquid injection MOCVD and ALD studies of 'single source' Sr-Nb and Sr-Ta precursors

机译：“单源” Sr-Nb和Sr-Ta前体的液体注入MOCVD和ALD研究

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A range of "single source" Sr-Nb and Sr-Ta heterometal alkoxides precursors are investigated as potential sources for liquid injection MOCVD (metalorganic chemical vapour deposition) and ALD (atomic layer deposition) of SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) and SrBi_2(T_xNb_(1-z))_2O_9 (SBTN). These "single source" precursors are designed to alleviate the mis-match between conventional Sr and Ta or Sr and Mb sources. Strontium-tantalate and strontium-niobate thin films were deposited on silicon using the "single source" alkoxide precursors [Sr{Ta(OEt)_5(dmae}_2] and [Sr{Nb(OEt)_5(dmae)}_2] (dmae = OCH_2CH_2NMe_2), and the optimum temperatures for deposition of stoichiometric SrTa_2O_6 and SrNb_2O_6 were determined. Separate ALD studies of [Sr{Ta(OEt)_5(dmae)}_2] and [Sr{Ta(OEt)_5(mee)}_2] (mee = OCH_2CH_2OMe) for the growth of Strontium-tantalate were carried out to assess precursor suitability for this technique. Liquid injection MOCVD of Bi-oxide films using Bi(mmp)3 indicates similar decomposition behaviour to the Sr-Ta and Sr-Nb alkoxides, demonstrating its suitability as a complementary source of Bi for SBT, SBN and SBTN.
机译：研究了一系列“单源” Sr-Nb和Sr-Ta杂金属醇盐前体，作为SrBi_2Ta_2O_9（SBT）和SrBi_2（T_xNb_（1 -z））_ 2O_9（SBTN）。这些“单源”前驱物旨在减轻常规Sr和Ta或Sr和Mb源之间的不匹配。使用“单源”醇盐前体[Sr {Ta（OEt）_5（dmae} _2]和[Sr {Nb（OEt）_5（dmae）} _ 2]）在硅上沉积钽酸锶和铌酸锶薄膜。 dmae = OCH_2CH_2NMe_2），并确定了化学计量SrTa_2O_6和SrNb_2O_6沉积的最佳温度[Sr {Ta（OEt）_5（dmae）} _ 2]和[Sr {Ta（OEt）_5（mee）}的ALD研究_2]（mee = OCH_2CH_2OMe）用于钽钽酸锶的生长，以评估该技术的前驱体适用性。Bi（mmp）3注入双氧化物膜的MOCVD表明与Sr-Ta和Sr相似的分解行为-Nb醇盐，证明其适合作为SBT，SBN和SBTN的Bi补充来源。

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