Department of Physics, Kansas State University, Manhattan, Kansas 66506-2601;
Deep UV LEDs; Al-rich AlGaN; Mg doped AlGaN;
机译:用于深紫外发光二极管的AlN / AlGaN数字合金
机译:使用AlGaN合金生长和设计深紫外(240-290 nm)发光二极管
机译:具有AlGaN / AlGaN超晶格电子阻挡层的深紫外AlGaN发光二极管的优势
机译:Mg掺杂富含铝的AlGaN合金,用于深紫外线发射器
机译:量身定制AlGaN深紫外发射器的发光
机译:通过局部调制基于AlGaN的深紫外发光二极管的n-AlGaN层中的掺杂类型来改善电流扩散
机译:通过改变MG掺杂平面,P型富含AlaG的高掺杂效率
机译:用于深紫外激光应用的高al含量alGaN合金。