ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅

赵玉珍; 吕佩德

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ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅

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本文报道了用具有二维电荷注入检测器(CID)和端视等离子体炬的全谱直读等离子体光谱仪,同时测定Al-Mg-Ge-Si合金中Al-Mg-Ge-Si的方法。试样用HNO_3-HF溶解后,加H_3BO_3络合过量的F,并用其中的B为内标进行测定,以改善测量的精密度与准确度。合成试样的回收率为 99.1％～101.0％,样品测定的相对标准偏差小于1％。方法简便、准确,用于样品分析,结果满意。

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来源
《现代仪器与医疗》 |1998年第1期|18-20|共3页
作者
赵玉珍; 吕佩德;
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作者单位

中国科学院物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TG146.21;TG115.33;
关键词
ICP-AES; 铝镁合金; 光谱分析;

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