Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
机译:La,V,Nb和Ta掺杂SrTiO_3的电子结构和输运性质的密度泛函理论和实验研究
机译:掺杂ZnO / Nb-1重量%的SrTiO_3外延异质结的制备和传输性能
机译:衬底诱导的应变对脉冲激光沉积Nb掺杂SrTiO_3薄膜传输特性的影响
机译:Nb掺杂Srtio {Sub} 3的缺陷平衡和运输特性
机译:通过紧密结合键模型研究了掺硼硅中缺陷的形成和传输性质。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:掺铌的SrTiO_ {3} $的缺陷和电输运性质
机译:平衡方程的解析公式和表及平衡解的非平衡方程组的解的性质和sousnTRaNspORT性质