IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany,Dipartimento di Scienze, Universita Roma Tre, Viale Marconi 446, 00146 Rome, Italy;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany,BTU Cottbus, Konrad-Zuse-Str.1, Cottbus, 03046, Germany;
SiGe; heteroepitaxy; nano-structured Si; XRD; TEM;
机译:SiGe在顺应性纳米结构硅上的无错位无外延生长
机译:Ge-B掺杂衬底上无失配位错的p / p(+)厚外延硅晶片的生长
机译:Si(001)上外延SiGe岛中错配位错节段的自排序
机译:兼容纳米结构硅的SiGe的错位错位外延生长
机译:基于界面失配位错阵列的生长模式,用于演示硅上单片集成的光学泵浦锑化物激光器。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:硅外延SiGe上Au薄膜中SiGe量子环的生长
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错