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Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI
Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI
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1.
Electrically Inactive Dopants in Heavily Doped as-Grown Czochralski Silicon
机译:
重掺杂生长的直拉硅中的非电活性掺杂剂
作者:
Ludwig Stockmeier
;
Mohamed Elsayed
;
Reinhard Krause-Rehberg
;
Markus Zschorsch
;
Lothar Lehmann
;
Jochen Friedrich
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Electrical Activation;
Heavy Doping;
Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy(PALS);
2.
Orientation dependency of dislocation generation in Si growth process
机译:
Si生长过程中位错产生的取向依赖性
作者:
Karolin Jiptner
;
Yoshiji Miyamura
;
Bing Gao
;
Hirofumi Harada
;
Koichi Kakimoto
;
Takashi Sekiguchi
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
dislocations;
crystallographic orientations;
directional solidification;
stress;
strain;
3.
50 cm size Seed Cast Si ingot growth and its characterization
机译:
50 cm尺寸的种晶硅锭生长及其表征
作者:
Takashi Sekiguchi
;
Yoshiji Miyamura
;
Hirofumi Harada
;
Karolin Jiptner
;
Jun Chen
;
Ronit R. Prakash
;
Satoshi Nakano
;
Bing Gao
;
Koichi Kakimoto
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
seed cast growth;
mono silicon;
dislocation;
carbon;
oxygen;
4.
Potential Synthesis of Solar-Grade Silicon from Rice Husk Ash
机译:
从稻壳灰中潜在合成太阳能级硅
作者:
Benedict Orholor Ayomanor
;
Karen Vernon-Parry
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Rice husk ash;
Hydrometallurgy;
Leach;
XRD;
XRF;
SEM;
Metallurgical grade silicon;
5.
Impact of the gate material on the deep levels in a-Si:H/c-Si Metal-Insulator-Semiconductor capacitors
机译:
栅极材料对a-Si:H / c-Si金属-绝缘体-半导体电容器中深层的影响
作者:
SIMOEN Eddy
;
FERRO Valentina
;
OSULLIVAN Barry
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
amorphous silicon;
interface states;
dangling bonds;
DLTS;
heterojunctions;
silicon passivation;
6.
Investigation of parasitic edge recombination in high-lifetime oxidized n-Si.
机译:
高寿命氧化n-Si中寄生边缘复合的研究。
作者:
R. S. Bonilla
;
G. Martins
;
P. R. Wilshaw
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon solar cell;
surface passivation;
field effect;
dielectric film;
7.
Investigation into Efficiency-Limiting Defects in mc-Si Solar Cells
机译:
mc-Si太阳能电池效率限制缺陷的研究
作者:
Oras A. Al-Ani
;
Ahmed M. A. Sabaawi
;
J. P. Goss
;
N. E. B. Cowern
;
P. R. Briddon
;
M. J. Rayson
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
solar cells;
interstitial iron;
gettering;
extended defects;
8.
Low temperature internal gettering of bulk defects in silicon photovoltaic materials
机译:
硅光伏材料中大量缺陷的低温内部吸杂
作者:
M. Al-Amin
;
J.D. Murphy
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon;
multicrystalline;
gettering;
iron;
lifetime;
9.
Minority carrier lifetime improvement of multicrystalline silicon using combined saw damage gettering and emitter formation
机译:
结合使用锯切损伤吸杂剂和发射极形成来提高多晶硅的少数载流子寿命
作者:
G. Martins
;
R. S. Bonilla
;
T.Burton
;
P. MacDonald
;
P. R. Wilshaw
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon solar cell;
gettering;
saw damage;
multi-crystalline;
red zone;
10.
Electronic properties of dislocations
机译:
位错的电子性质
作者:
M. Reiche
;
M.Kittler
;
E. Pippel
;
H. Kosina
;
A. Lugstein
;
H. Uebensee
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
dislocation;
electronic properties;
strain;
band structure;
carrier transport;
11.
Spatial distribution of the dislocation trails in silicon
机译:
硅中位错轨迹的空间分布
作者:
V.I. Orlov
;
E.B. Yakimov
;
N. Yarykin
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
dislocation;
dislocation trails;
silicon;
LBIC;
EBIC;
12.
Hydrogen-vacancy complexes and their deep states in n-type silicon
机译:
n型硅中的氢空位络合物及其深态
作者:
Ilia L. Kolevatov
;
Frank Herklotz
;
Viktor Bobal
;
Bengt G. Svensson
;
Edouard V. Monakhov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon;
hydrogen;
vacancy-hydrogen complexes;
implantation;
DLTS;
MCTS;
13.
The Efficiency of Hydrogen-Doping as a Function of Implantation Temperature
机译:
氢掺杂效率与注入温度的关系
作者:
M. Jelinek
;
J. G. Laven
;
N. Ganagona
;
W. Schustereder
;
H.-J. Schulze
;
M. Rommel
;
L. Frey
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
ion implantation;
hydrogen;
implantation temperature;
hydrogen donors;
silicon;
14.
Determination of the Free Gibbs Energy of Plate-like Precipitates of Hydrogen Molecules and Silicon Vacancies Formed After H~+ Ion Implantation into Silicon and Annealing
机译:
H〜+离子注入硅并退火后形成的氢分子和硅空洞的板状沉淀物的自由吉布斯能的测定
作者:
Nikolav Cherkashin
;
Francois-Xavier Darras
;
Alain Claverie
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
hydrogen implantation;
platelets;
nucleation theory;
Gibbs energy;
15.
Direct observations of Fe impurities in Si with different Fermi levels by Moessbauer spectroscopy
机译:
用Moessbauer光谱法直接观察不同费米能级的Si中的Fe杂质
作者:
Yuji lno
;
Kiyotaka Tanaka
;
Kazumasa Sakata
;
Yutaka Yoshida
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Iron impurities in silicon;
silicon;
Mossbauer spectroscopy;
Fermi level dependence;
16.
Enhanced internal gettering of iron in n~+ epitaxial silicon wafer: Effect of high temperature rapid thermal annealing in nitrogen ambient
机译:
n / n〜+外延硅晶片中铁的增强的内部吸杂:氮环境中高温快速热退火的影响
作者:
Peng Dong
;
Xingbo Liang
;
Daxi Tian
;
Xiangyang Ma
;
Deren Yang
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Rapid thermal processing;
Nitrogen-doping;
n~+ epitaxial silicon wafer;
Oxygen precipitation;
Iron gettering;
17.
Internal Gettering of Copper for Microelectronic Applications
机译:
微电子应用中的铜内部吸杂
作者:
Gudrun Kissinger
;
Dawid Kot
;
Markus Andreas Schubert
;
Andreas Sattler
;
Timo Mueller
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
copper;
silicon;
internal gettering;
metal impurity;
oxygen precipitate;
18.
Detection and Prevention of Palladium Contamination in Silicon Devices
机译:
硅器件中钯污染的检测与预防
作者:
Maria Luisa Polignano
;
Isabella Mica
;
Agostino Brambilla
;
Claudio Brambilla
;
Simona Brambilla
;
Monica Ceresoli
;
Davide Codegoni
;
Laura Farini
;
Francesco Somaini
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Contamination;
silicon;
palladium;
Carrier lifetime;
SPV;
diffusion barrier;
19.
Electrical levels and diffusion barriers of early 3d and 4d transition metals in silicon
机译:
硅中早期3d和4d过渡金属的电能级和扩散势垒
作者:
A. G. Marinopoulos
;
P. Santos
;
J. Coutinho
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon;
Transition Metals;
Electrical Levels;
Diffusion;
20.
Effect of Nitrogen-Doping on the Properties of Radiation Defect Centers in FZ Silicon
机译:
氮掺杂对FZ硅辐射缺陷中心性能的影响
作者:
P. Kaminski
;
R. Kozłowski
;
B. Surma
;
M. Kozubal
;
Ch. Hindrichsen
;
T. Sveigaard
;
L. Jensen
;
M. Kwestarz
;
J. Jabłonski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
nitrogen-doping;
radiation defect centers;
FZ Si;
HRPITS;
21.
Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior of Di-interstitial-Oxygen Center in Silicon
机译:
硅中的双间隙氧中心的结构,电子性质和退火行为
作者:
V.P. Markevich
;
A.R. Peaker
;
B. Hamilton
;
V.E. Gusakov
;
S.B. Lastovskii
;
L.I. Murin
;
N. Ganagona
;
E.V. Monakhov
;
B.G. Svensson
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
di-interstitial;
oxygen;
energy levels;
DLTS;
ab-initio modeling;
22.
Similarity of Atomic Configurations of Thermally Stable Positron-Sensitive Complexes Produced With 0.9-MeV Electrons and 15-MeV Protons In n-FZ-Si:P Crystals
机译:
n-FZ-Si:P晶体中0.9-MeV电子和15-MeV质子产生的热稳定正电子敏感复合物的原子构型相似性
作者:
N. Yu. Arutyunov
;
M. Elsayed
;
R. Krause-Rehberg
;
V.V. Emtsev
;
G.A. Oganesyan
;
V.V. Kozlovski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
vacancies;
complexes;
radiation defects;
silicon;
positron;
annihilation radiation;
23.
Interaction of Interstitial Copper with Isolated Vacancies in Silicon
机译:
间隙铜与硅中空位的相互作用
作者:
Nikolai Yarykin
;
Joerg Weber
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
copper impurity;
vacancy;
radiation defects;
24.
Electrical properties of defects in Ga-doped Ge irradiated with fast electrons and protons
机译:
快速电子和质子辐照的Ga掺杂的Ge中的缺陷的电学性质
作者:
V.V. Emtsev
;
N. V. Abrosimov
;
V.V. Kozlovski
;
G.A. Oganesyan
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
p-Ge;
Ga dopant;
electron and proton irradiation;
radiation defects;
25.
The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon
机译:
杂质自旋相关的散射效应对铋掺杂硅中导电电子的传输和自旋共振的影响
作者:
Andrey V. Soukhorukov
;
Davud V. Guseinov
;
Alexei V. Kudrin
;
Sergey A. Popkov
;
Alexandra P. Detochenko
;
Alexandra V. Koroleva
;
Alexander A. Ezhevskii
;
Anton A. Konakov
;
Nikolai V. Abrosimov
;
Helge Riemann
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
conduction electrons;
spin-dependent scattering;
spin-orbit coupling,magnetoresistance;
spin relaxation;
electron paramagnetic resonance;
26.
Reduced Thermal Conductivity in Silicon Thin-Films via Vacancies
机译:
通过空位降低硅薄膜的热导率
作者:
Neil M. Wight
;
Nick S. Bennett
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
thermoelectric;
silicon;
thermal conductivity;
thin-film;
vacancy;
27.
Analysis of EL emitted by LEDs on Si substrates containing GeSn/Ge multi quantum wells as active layers
机译:
分析以GeSn / Ge多量子阱为有源层的Si衬底上LED发射的EL
作者:
Bernhard Schwartz
;
Philipp Saring
;
Tzanimir Arguirov
;
Michael Oehme
;
Konrad Kostecki
;
Erich Kasper
;
Joerg Schulze
;
Martin Kittler
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon Photonics;
Germanium;
Ge on Si;
Ge_(1-x)Sn_x;
Multi-Quantum-Well (MQW);
Light Emitting Diodes (LED);
Electroluminescence (EL);
28.
Defect Formation in Ion-Implanted Si - Approach to Controlled Semiconductor Optical Properties
机译:
离子注入硅中的缺陷形成-控制半导体光学性能的方法
作者:
Nina Khuchua
;
Marina Tigishvili
;
Revaz Melkadze
;
Nugzar Dolidze
;
Nodar Gapishvili
;
Zurab Jibuti
;
Galina Dovbeshko
;
Vladimir Romanyuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Boron ion implanted silicon;
p-n structures;
IR reflection spectra;
Raman-spectroscopy;
IR and UV photosensitivity;
extended defects;
29.
Defect Composition in Acceptor Doped ZnO Quantum Structures
机译:
受体掺杂ZnO量子结构中的缺陷组成
作者:
Tamar Tchelidze
;
Tamaz Kereselidze
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
ZnO;
Quantum wells;
Quantum wires;
p-doping;
30.
Misfit dislocation free epitaxial growth of SiGe on compliant nano-structured silicon
机译:
SiGe在顺应性纳米结构硅上的无错位无外延生长
作者:
Peter Zaumseil
;
Markus Andreas Schubert
;
Yuji Yamamoto
;
Oliver Skibitzki
;
Giovanni Capellini
;
Thomas Schroeder
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
SiGe;
heteroepitaxy;
nano-structured Si;
XRD;
TEM;
31.
Investigations of critical structural defects in active layers of GaN-on-Si for power electronic devices
机译:
功率电子器件硅基GaN有源层中关键结构缺陷的研究
作者:
Michael Knetzger
;
Elke Meissner
;
Joff Derluyn
;
Marianne Germain
;
Jochen Friedrich
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
GaN on Si;
cathodoluminescence;
carbon doping;
dislocations;
electrical properties,structural properties;
32.
A new approach for calculating the band gap of semiconductors within the density functional method
机译:
密度泛函法计算半导体带隙的新方法
作者:
Vasilii Gusakov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
semiconductors;
band gap;
density functional method;
33.
Low-frequency noise spectroscopy of bulk and border traps in nanoscale devices
机译:
纳米器件中本体陷阱和边界陷阱的低频噪声光谱
作者:
SIMOEN Eddy
;
CRETU Bogdan
;
FANG Wen
;
AOULAICHE Marc
;
ROUTOURE Jean-Marc
;
CARIN Regis
;
LUO Jun
;
ZHAO Chao
;
CLAEYS Cor
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Random Telegraph Signal;
silicon-on-insulator;
gate oxide trap;
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor;
generation-recombination noise;
34.
Comparative investigations of the surface damage of monocrystalline silicon wafers by Scanning Infrared Reflection Examination and Raman spectroscopy
机译:
扫描红外反射检查和拉曼光谱对单晶硅晶片表面损伤的比较研究
作者:
Hans Joachim Moeller
;
Sindy Wuerzner
;
Rajko Buchwald
;
Martin Herms
;
Matthias Wagner
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
wire sawing;
surface damage;
silicon wafers;
Raman spectroscopy;
scanning infrared reflection;
SIREX;
35.
Comparative spatially resolved characterization of a Czochralski-grown silicon crystal by different laser-based imaging techniques
机译:
通过不同的基于激光的成像技术对切克劳斯基生长的硅晶体进行比较的空间分辨表征
作者:
Martin Herms
;
Matthias Wagner
;
Alexander Molchanov
;
Mathias Rommel
;
Markus Zschorsch
;
Sindy Wuerzner
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Czochralski-grown silicon;
growth striations;
interstitial oxygen;
stress-induced birefringence;
scanning infrared depolarization;
lateral photovoltage scanning;
microwave-detected photoconductivity;
Fourier transform infrared microscopy;
spreading resistance;
36.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
37.
Growth of Czochralski Silicon Crystals Having Ultralow Carbon Concentrations
机译:
具有超低碳浓度的直拉硅晶体的生长
作者:
Yuta Nagai
;
Kazuhiko Kashima
;
Satoko Nakagawa
;
Mitsuo Higasa
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon;
Czochralski;
carbon;
contamination;
evaporation;
38.
Recent Progress of Crystal Growth Technology for Multi-crystalline Silicon Solar Ingot
机译:
多晶硅太阳晶锭晶体生长技术的最新进展
作者:
C.W. Lan
;
Y.M. Yang
;
A. Yu
;
Y.C. Wu
;
B. Hsu
;
W.C. Hsu
;
A. Yang
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Crystal growth;
multi-crystalline silicon;
grain boundary;
solar cell;
39.
Statistical consideration of grain growth mechanism of multicrystalline Si by one directional solidification technique
机译:
单向凝固技术对多晶硅晶粒长大机理的统计考虑
作者:
Takashi Sekiguchi
;
Ronit R. Prakash1
;
Karolin Jiptner
;
Xianjia Luo
;
Jun Chen
;
Yoshiji Miyamura
;
Hirofumi Harada
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
cast method;
grain growth;
grain boundaries;
40.
Valence-Mending Passivation of Si(100) Surface: Principle, Practice and Application
机译:
Si(100)表面的价钝化钝化:原理,实践和应用
作者:
Meng Tao
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Dangling bond;
surface state;
silicon (100) surface;
passivation;
sulfur;
selenium;
metal silicon junction;
Schottky barrier;
transition metal dichalcogenide;
41.
Stable, extrinsic, field effect passivation for back contact silicon solar cells.
机译:
背接触式硅太阳能电池的稳定,外在的场效应钝化。
作者:
R. S. Bonilla
;
K. Collett
;
L. Rands
;
G. Martins
;
R. Lobo
;
P. R. Wilshaw
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon solar cell;
surface passivation;
field effect;
dielectric film;
42.
BO-related Defects: Overcoming Bulk Lifetime Degradation in crystalline Si by Regeneration
机译:
与BO有关的缺陷:通过再生克服晶体硅中的整个寿命退化
作者:
Giso Hahn
;
Svenja Wilking
;
Axel Herguth
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
crystalline Si;
solar cell;
boron-oxygen;
defect;
regeneration;
hydrogen;
43.
Discussion of A_(Si)-Si_i defect model in frame of experimental results on P line in indium doped silicon
机译:
在铟掺杂硅的P线实验结果框架内讨论A_(Si)-Si_i缺陷模型
作者:
K. Lauer
;
C. Moeller
;
D. Schulze
;
C. Ahrens
;
J. Vanhellemont
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
P line;
light-induced degradation;
44.
Experimental proof of the slow light-induced degradation component in compensated n-type silicon
机译:
补偿n型硅中缓慢的光诱导降解成分的实验证明
作者:
T. Niewelt
;
J. Schoen
;
J. Broisch
;
S. Rein
;
J. Haunschild
;
W. Warta
;
M. C. Schubert
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
light-induced degradation;
LID;
boron oxygen defect;
compensated n-type,Czochralski silicon;
45.
Low temperature activation of grown-in defects limiting the lifetime of high purity n-type float-zone silicon wafers
机译:
生长缺陷的低温激活限制了高纯度n型浮区硅晶片的寿命
作者:
Nicholas E. Grant
;
Fiacre E. Rougieux
;
Daniel Macdonald
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Annealing;
bulk lifetime;
defects;
float-zone;
silicon;
vacancy;
46.
Vacancy species produced by rapid thermal annealing of silicon wafers
机译:
硅晶片快速热退火产生的空位物种
作者:
Vladimir V. Voronkov
;
Robert Falster
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
vacancy;
silicon;
oxygen;
diffusion;
47.
Interplay of Ni and Au atoms with dislocations and vacancy defects generated by moving dislocations in Si
机译:
Ni和Au原子与Si中移动位错产生的位错和空位缺陷的相互作用
作者:
V. Kveder
;
M. Khorosheva
;
M. Seibt
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon;
dislocation;
impurities;
DLTS;
LBIC;
48.
Metastable Defects in Proton Implanted and Annealed Silicon
机译:
质子注入和退火硅中的亚稳态缺陷
作者:
M. Jelinek
;
J. G. Laven
;
N. Ganagona
;
R. Job
;
W. Schustereder
;
H.-J. Schulze
;
M. Rommel
;
L. Frey
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
crystalline silicon;
proton implantation;
metastable defects;
49.
Carbon-hydrogen complexes in n- and p-type SiGe-alloys studied by Laplace deep level transient spectroscopy
机译:
拉普拉斯深层瞬态光谱研究n型和p型SiGe合金中的碳氢配合物
作者:
Ronald Stuebner
;
Vladimir Kolkovsky
;
Joerg Weber
;
N. V. Abrosimov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
DLTS;
Laplace DLTS;
Si;
SiGe;
carbon-hydrogen;
50.
Kinetic model of precipitate growth during phase separation in metastable binary solid solutions
机译:
亚稳二元固溶体在相分离过程中沉淀物生长的动力学模型
作者:
Andrey Sarikov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
phase separation;
kinetic model;
binary solid solution;
nonstoichiometric Si oxide;
51.
Mossbauer Spectroscopy on Fe impurities in Si materials
机译:
硅材料中铁杂质的Mossbauer光谱
作者:
Y. Yoshida
;
Yuji Ino
;
Kiyotaka Tanaka
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Substitutional Fe;
Interstitial Fe;
Charge states;
Mossbauer spectroscopy;
Isomer shift;
52.
A Density Functional Study of Iron Segregation at ISFs and Σ5-(001) GBs in mc-Si
机译:
mc-Si中ISF和Σ5-(001)GB处铁偏析的密度泛函研究
作者:
Oras A Al-Ani
;
J P Goss
;
N E B Cowern
;
P R Briddon
;
M Al-Hadidi
;
R Al-Hamadany
;
M J Rayson
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
iron;
segregation;
grain boundaries;
53.
Determination of activation energy of the iron acceptor pair association and dissociation reaction
机译:
铁受体对缔合和解离反应活化能的测定
作者:
K. Lauer
;
C. Moeller
;
D. Debbih
;
M. Auge
;
D. Schulze
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
iron-acceptor pairs;
54.
Segregation Gettering Model for Nickel in plp+ Silicon Wafers
机译:
plp +硅晶圆中镍的偏析吸气模型
作者:
Kazuhisa Torigoe
;
Toshiaki Ono
;
Kozo Nakamura
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Segregation gettering;
Silicon;
Nickel;
Boron;
plp+;
Epitaxial wafers;
55.
Modeling the Post-Implantation Annealing of Platinum
机译:
铂的植入后退火建模
作者:
Elie Badr
;
Peter Pichler
;
Gerhard Schmidt
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
platinum;
silicon;
ion implantation;
annealing;
56.
Search for effective sites of proximity gettering induced by ion implantation in Si wafers with first principles calculation
机译:
用第一原理计算寻找离子注入在硅晶片中引起的接近吸杂的有效位点
作者:
Sho Shirasawa
;
Koji Sueoka
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Proximity gettering;
First principles calculation;
Si wafers;
57.
Boron-related Defects in Low Temperature Irradiated Silicon
机译:
低温辐照硅中与硼有关的缺陷
作者:
KHIRUNENKO Lyudmila
;
SOSNIN Mikhail
;
DUVANSKII Andrei
;
ABROSIMOV Nikolai
;
RIEMANN Helge
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
boron;
irradiation;
defects;
58.
Interstitial Carbon in p-Type Copper-Doped Silicon
机译:
p型掺杂铜的硅中的间隙碳
作者:
Nikolai Yarykin
;
Joerg Weber
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
copper impurity;
carbon impurity;
radiation defects;
59.
Characterization of Si converters of beta-radiation in the scanning electron microscope
机译:
扫描电子显微镜中β辐射Si转换器的表征
作者:
M.A. Polikarpov
;
E.B. Yakimov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Beta-voltaics;
SEM;
simulation;
60.
Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic ~(28)Si
机译:
单同位素〜(28)Si中与锂相关的供体中心的自旋弛豫时间
作者:
Alexander A. Ezhevskii
;
Alexandra P. Detochenko
;
Sergey A. Popkov
;
Anton A. Konakov
;
Andrey V. Soukhorukov
;
Davud V. Guseinov
;
Dmitry G. Zverev
;
Georgy V. Mamin
;
Nikolay V. Abrosimov
;
Helge Riemann
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
monoisotopic silicon;
shallow donors;
spin-lattice relaxation;
spin-orbit coupling,electron paramagnetic resonance;
61.
Heat Flow and Defects in Semiconductors: Beyond the Phonon Scattering Assumption
机译:
半导体中的热流和缺陷:声子散射假设之外
作者:
Stefan K. Estreicher
;
T. Michael Gibbons
;
M. Bahadir Bebek
;
Alexander L. Cardona
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Heat flow;
defects;
Si nanowire;
heterojunctions;
ab-initio molecular dynamics;
62.
Ge and GeSn light emitters on Si
机译:
Si上的Ge和GeSn发光体
作者:
Michael Oehme
;
Martin Gollhofer
;
Konrad Kostecki
;
Roman Koerner
;
Stefan Bechler
;
Daniel Widmann
;
Tzanimr Arguirov
;
Martin Kittler
;
Joerg Schulze
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Si Photonics;
GeSn;
Germanium;
electroluminescence;
light emitting diode;
diode lasers;
63.
Electrical Characterization and Defect-related Luminescence in Oxygen Implanted Silicon
机译:
氧注入硅中的电学特征和与缺陷相关的发光
作者:
D.V. Danilov
;
O.F. Vyvenko
;
N.A. Sobolev
;
V.I. Vdovin
;
A.S. Loshachenko
;
E.I. Shek
;
P.N. Aruev
;
V.V. Zabrodskiy
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon;
defect-related luminescence;
DLTS;
oxygen ion implantation;
64.
A nanoscale adventure with silicon: Synthesis, surface chemistry, and other Surprises
机译:
硅纳米冒险:合成,表面化学和其他惊喜
作者:
Md Hosnay Mobarok
;
Tapas K. Purkait
;
Jonathan G. C. Veinot
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Silicon Quantum Dots (SiQDs);
Surface Functionalization;
Photoluminescence;
65.
ZnO Nanoparticle Formation in ~(64)Zn~+ Ion Implanted AI_2O_3
机译:
〜(64)Zn〜+离子注入AI_2O_3中ZnO纳米粒子的形成
作者:
V.V. Privezentsev
;
V.S. Kulikauskas
;
A.N. Palagushkin
;
E.A. Steinman
;
A.N. Tereshchenko
;
A.A. Batrakov
;
S.N. Ksenich
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Ion implantation;
AI_2O_3;
annealing;
ZnO;
nanoparticles (NPs);
66.
Influence of composition of aqueous electrolytes on anisotropy of porous layer formation rate in heavily doped silicon
机译:
水性电解质的组成对重掺杂硅中多孔层形成速率各向异性的影响
作者:
Yu. A. Zharova
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
porous silicon;
anisotropy of porous layer formation rate;
electrochemical etching of silicon;
67.
Radiation Damage in 4H-SiC and Its Effect on Power Device Characteristics
机译:
4H-SiC的辐射损伤及其对功率器件特性的影响
作者:
Pavel Hazdra
;
Stanislav Popelka
;
Vit Zahlava
;
Jan Vobecky
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon carbide;
radiation defects;
electrons;
neutrons;
protons;
diode;
transistor;
68.
Electrical characterization of defects introduced in n-type N-doped 4H-SiC during electron beam exposure
机译:
电子束曝光过程中在n型N掺杂4H-SiC中引入的缺陷的电特性
作者:
Ezekiel Omotoso
;
Walter Ernst Meyer
;
Francois Danie Auret
;
Sergio Manuel Martins Coelho
;
Phuti Ngako Mahloka Ngoepe
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon carbide;
defects;
deep level transient spectroscopy;
electron beam exposure;
69.
Ab-initio study of MgSe self-interstitial (Mg_i and Se_i).
机译:
从头开始研究MgSe自填隙(Mg_i和Se_i)。
作者:
Emmanuel. Igumbor
;
Kingsley Obodo
;
Water E. Meyer
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
interstitial;
defect;
charge state;
70.
Capacitance transient spectroscopy measurements on high-k metal gate field effect transistors fabricated using 28nm technology node
机译:
使用28nm技术节点制造的高k金属栅极场效应晶体管的电容瞬态光谱测量
作者:
Teimuraz Mchedlidze
;
Maximilian Drescher
;
Elke Erben
;
Joerg Weber
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
Capacitance transient spectroscopy;
HKMG;
interface trap density;
device characterization;
71.
Non-Visual Defect Monitoring with Surface Voltage Mapping: Application for Semiconductor IC and PV Technology
机译:
具有表面电压映射的非视觉缺陷监控:在半导体IC和PV技术中的应用
作者:
Piotr Edelman
;
Dmitriy Marinskiy
;
Alexandre Savtchouk
;
John DAmico
;
Andrew Findlay
;
Marshall Wilson
;
Carlos Almeida
;
Jacek Lagowski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
surface voltage;
non-visual defects;
wafer inspection;
Kelvin probe;
corona charge;
contamination;
gradient magnitude;
72.
Imaging Defect Luminescence of 4H-SiC by Ultraviolet-Photoluminescence
机译:
紫外光致发光成像缺陷4H-SiC的发光
作者:
P. Berwian
;
D. Kaminzky
;
K. Roßhirt
;
B. Kallinger
;
J. Friedrich
;
S. Oppel
;
A. Schneider
;
M. Schuetz
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI》
|
2015年
关键词:
silicon carbide;
defect;
map;
photoluminescence;
imaging;
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