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首页> 外文会议>Gettering and defect engineering in semiconductor technology XVI >Influence of composition of aqueous electrolytes on anisotropy of porous layer formation rate in heavily doped silicon
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Influence of composition of aqueous electrolytes on anisotropy of porous layer formation rate in heavily doped silicon

机译：水性电解质的组成对重掺杂硅中多孔层形成速率各向异性的影响

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Concentration dependence of the pore formation rate in silicon under electrochemical anodization has been studied for different crystallographic directions. It was found that, for materials with doping levels N_B=2·10~(19) (p~(++)) cm~(-3) and N_B=2.5·10~(17) cm~(-3) (p~+), the propagation rates of the porous front grow with increasing concentration of hydrofluoric acid in aqueous electrolytes for all the crystallographic directions, whereas the anisotropy of the pore formation rate becomes weaker. For the material with N_b=2.5·10~(17) cm~(-3), the direction <111> remains the predominant direction in which the porous layer is formed for all the electrolyte compositions.
机译：对于不同的晶体学方向，已经研究了在电化学阳极氧化下硅中孔形成速率的浓度依赖性。发现对于掺杂水平为N_B = 2·10〜（19）（p〜（++））cm〜（-3）和N_B = 2.5·10〜（17）cm〜（-3）（ p〜+），在所有的晶体学方向上，多孔锋面的传播速率都随着含水电解质中氢氟酸浓度的增加而增长，而孔形成速率的各向异性变弱。对于N_b = 2.5·10〜（17）cm〜（-3）的材料，方向<111>保持为所有电解质组合物形成多孔层的主要方向。

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