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Kinetic model of precipitate growth during phase separation in metastable binary solid solutions

机译：亚稳二元固溶体在相分离过程中沉淀物生长的动力学模型

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In this paper, the kinetics of precipitate growth in metastable binary solid solutions is analyzed considering two mechanisms: (i) diffusion of the one component from the bulk of composition matrix and its incorporation in the precipitate, and (ii) emission and outdiffusion of the second component from the interface of precipitate with surrounding matrix. A kinetic model is proposed that enables a description of these both mechanisms in a unique way. Using this model, the mechanism of oxygen emission and outdiffusion from the interface of Si precipitates with the silicon oxide surrounding is confirmed to determine the phase separation kinetics upon high temperature annealing nonstoichiometric silicon oxide films.
机译：在本文中，考虑了以下两种机理来分析亚稳态二元固溶体中沉淀物生长的动力学：（i）一种组分从大部分成分基质中扩散出来并掺入沉淀物中，以及（ii）排放和扩散出沉淀物与周围基质界面的第二组分。提出了一个动力学模型，该模型能够以独特的方式描述这两种机制。使用该模型，可以确定氧从Si沉淀物与周围氧化硅的界面逸出和扩散的机制，从而确定高温退火非化学计量氧化硅膜时的相分离动力学。

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