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Resistivity simulation of CZT materials

机译：CZT材料的电阻率模拟

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Defects and the relations with the levels introduced in the gap are among the toughest remaining problems in II-VI semiconductors. Up to now, more than 30 levels have been detected without any clear identification and assignation for most of them. PICTS, TEES and TSC are well suited for such investigation, but not complete. A very useful complement is provided by numerical simulation of some properties and the comparison between calculation and experimental results. We have used a simple existing model using the neutrality equation and the Fermi-Dirac distributions. This model was improved to introducemore than three levels which is largely our case (30 levels, 5-6 bands). Carrier concentration and resistivity are then deduced. PICTS results are used as model input. Results and compensation processes are discussed. direct c 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
机译：缺陷以及与间隙中引入的能级的关系是II-VI半导体中最棘手的问题。到目前为止，已检测到30多个水平，其中大多数都没有任何明确的标识和分配。图片，TEES和TSC非常适合此类调查，但并不完整。通过一些属性的数值模拟以及计算和实验结果之间的比较，可以提供非常有用的补充。我们使用了一个简单的现有模型，该模型使用了中性方程和费米-狄拉克分布。改进了该模型，以引入三个以上级别，这在很大程度上是我们的案例（30个级别，5-6个频段）。然后推导出载流子浓度和电阻率。 PICTS结果用作模型输入。讨论了结果和补偿过程。直接c 1999 Elsevier Science B.V.保留所有权利。

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