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首页> 外文会议>Image Intensifiers and Applications; and Characteristics and Consequences of Space Debris and Near-Earth Objects >Gallium-arsenide electron-bombarded CCD technology
【24h】

Gallium-arsenide electron-bombarded CCD technology

机译：砷化镓电子轰击CCD技术

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摘要

Abstract: Electron Bombarded Charge Coupled Devices (EBCCD) which utilize a high performance Gallium Arsenide (GaAs) photocathode have been fabricated and characterized for performance and tube operating life. The EBCCD utilized an 11 mm diagonal, backside illuminated, frame transfer CCD compatible with RS170 video output. The CCD incorporated lateral anti-blooming structures optimized for backside operation. The EBCCD tube was proximity focused and operated with high gain (greater than 150) at low electron landing voltages (less than 2 kV). The EBCCD was integrated in a gated camera system with fast rise and fall times (less than 50 ns). Predicted operating life in a gated camera system as determined by accelerated tests is in excess of 12,000 hours, limited by photocathode degradation. !4
机译：摘要：已经制造出利用高性能砷化镓（GaAs）光电阴极的电子轰击电荷耦合器件（EBCCD），并对其性能和管的使用寿命进行了表征。 EBCCD采用了11毫米对角线，背面照明的帧传输CCD，与RS170视频输出兼容。 CCD结合了针对背面操作进行了优化的横向防起霜结构。 EBCCD管是近距聚焦的，并在低电子着陆电压（小于2 kV）下以高增益（大于150）工作。 EBCCD集成在具有快速上升和下降时间（小于50 ns）的门控相机系统中。通过加速测试确定的门控摄像头系统的预计使用寿命超过12,000小时，但受光电阴极退化的限制。 ！4

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