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首页> 外文会议>Institute of Physics Electron Microscopy and Analysis Group Conference, Sep 5-7, 2001, Dundee >EELS and HREM study of tunnelling junctions with A1N and A1ON barriers
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EELS and HREM study of tunnelling junctions with A1N and A1ON barriers

机译：EELS和HREM研究A1N和A1ON势垒的隧道结

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The microstructure and chemical composition of spin tunnel junctions with AlON and AlN barriers have been investigated using high-resolution electron microscopy (HREM) and electron energy loss spectroscopy (EELS). HREM observation shows that plasma-nitrided Al results in thinner tunnel barriers than those obtained with oxygen or oxygen+nitrogen plasma, for the same plasma exposure time. The tunnelling magnetoresistance (TMR) data indicate that the performance of spin tunnel junctions with over-nitridation is better than that with under-nitridation. EELS composition mapping experiments give layer thicknesses consistent with the HREM results and have confirmed the presence of nitrogen in the barrier layer.
机译：使用高分辨率电子显微镜（HREM）和电子能量损失谱（EELS），研究了具有AlON和AlN势垒的自旋隧道结的微观结构和化学成分。 HREM观察表明，在相同的等离子体暴露时间下，等离子体氮化的Al所形成的隧道势垒比氧气或氧气+氮气等离子所产生的更薄。隧道磁阻（TMR）数据表明，过氮化的自旋隧道结的性能优于欠氮化的自旋隧道结的性能。 EELS组成图实验给出了与HREM结果一致的层厚度，并证实了阻挡层中存在氮。

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