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Extreme FESEM

机译:极端FESEM

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摘要

A novel approach to FESEM design integrates new levels (>2x) of low voltage image resolution (~1nm at 1kV) with greatly improved (0.3sr/15x) sensitivity for EDS elemental microanalysis and chemical imaging at new levels of spatial resolution down to <100nm, and in favourable cases with sensitivity limits of 1 - 10nm, while retaining the advantages of robust and representative bulk (mm) SEM samples. At the heart of the new instrument is a symmetrical condenser-objective lens with superior aberrations including new levels of uncorrected Cs values down to 0.1mm.
机译:一种新颖的FESEM设计方法将低电压图像分辨率(在1kV时约为1nm)的新水平(> 2倍)与EDS元素微分析和化学成像的灵敏度大大提高(0.3sr / 15倍),而空间分辨率的新水平低至< 100nm,并在有利的情况下具有1-10nm的灵敏度极限,同时保留了坚固且有代表性的体积(mm)SEM样品的优点。新仪器的核心是一个对称的聚光镜,具有出色的像差,包括新水平的未校正Cs值(低至0.1mm)。

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