Graduate School of Science and Technology, Chiba University, 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba, 263-8522, Japan;
photoluminescence; exciton; ZnSe/BeTe; type-Ⅱ band structure;
机译:VOIGT磁场对ZnSe / BeTe II型单量子阱中激子复合物的影响
机译:磁场中未掺杂的ZnSe / BeTe II型量子阱中的各向异性激子和带电激子二向色性光致发光
机译:电场和磁场对调制n掺杂ZnSe / BeTeⅡ型量子阱中辐射复合的影响
机译:voigt磁场对ZnSe /β型Ⅱ单量子阱中激子复合物的影响
机译:InGaAs量子柱中的太赫兹吸收和砷化铟/砷化镓量子点中的电磁场的激子调谐。
机译:规则/不规则平面量子点的强相关激子磁场:尺寸扩展的双激子和三激子(e–h–e–h和e–e–h / e–h–h)多极系统扩张
机译:在Voigt中快速制备Inas / Gaas量子点中的单孔自旋 几何磁场