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消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法

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摘要

消除ZnSe/BeTE II量子阱中内秉电场的方法，属光电材料制备技术领域，用分子束外延工艺制备II型量子阱材料，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱-势垒-势阱层等；本发明所生长界面结构的量子阱材料具有质量高、界面处晶格匹配好、II型能带结构特点。材料界面处有大的能带落差，使电子、空穴很容易发生空间分离。两异质结界面具有多个Zn-Te和Te-Zn化学键结构，与传统的II型能带结构相比有更长的空间间接复合发光寿命，更有利于观察、研究高密度凝聚现象，能削弱结构中的内秉电场，使导带和价带结构变得平坦，避免了隧道效应，利于光电器件对正负电荷的独立控制。本发明可用于高密度现象的观察、光电器件的研制等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN101712456B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN200910230077.7

  • 发明设计人 冀子武;郑雨军;赵雪琴;徐现刚;

    申请日2009-11-13

  • 分类号

  • 代理机构济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人许德山

  • 地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-31

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20120905 终止日期:20131113 申请日:20091113

    专利权的终止

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2010-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20091113

    实质审查的生效

  • 2010-05-26

    公开

    公开

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