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首页> 外文会议>International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP >Ultraviolet InAlGaN multiple-quantum-well laser diodes
【24h】

Ultraviolet InAlGaN multiple-quantum-well laser diodes

机译：紫外线InAlGaN多量子阱激光二极管

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We report on ultraviolet InGaN, GaN and InAlGaN multiple-quantum-well (MQW) laser diodes grown on sapphire substrates. Pulsed threshold current densities near 5 kA/cm~2 have been achieved for InGaN MQW laser diodes with emission wavelength between 368 nm and 378 nm and continuous-wave operation of riD_ge-waveguide devices with threshold currents of 85 mA and output power of more than 3 mW. We also demonstrate room-temperature pulsed operation of InAlGaN MQW laser diodes emitting at a wavelength of 359.9 nm. Light output powers greater than 80 mW under pulsed current-injection conditions (pulse duration 100 ns, repetition frequency 5 kHz) and differential quantum efficiencies of 4.2% have been achieved.
机译：我们报告了在蓝宝石衬底上生长的紫外InGaN，GaN和InAlGaN多量子阱（MQW）激光二极管。对于发射波长在368 nm和378 nm之间的InGaN MQW激光二极管以及riD_ge波导器件的连续波操作，其阈值电流为85 mA，输出功率大于，达到了5 kA / cm〜2的脉冲阈值电流密度。 3兆瓦我们还演示了以359.9 nm波长发射的InAlGaN MQW激光二极管的室温脉冲操作。在脉冲电流注入条件下（脉冲持续时间为100 ns，重复频率为5 kHz），光输出功率大于80 mW，差分量子效率为4.2％。

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