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International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
召开年:
2003
召开地:
Nara(JP);Nara(JP)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
Thick crack-free AlGaN films deposited by facet-controlled epitaxial lateral overgrowth
机译:
刻面可控的外延横向过生长沉积的厚无裂纹AlGaN薄膜
作者:
R. Liu
;
A. Bell
;
F. A. Ponce
;
H. Amano
;
I. Akasaki
;
D. Cherns
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
2.
The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth
机译:
Ga在MOVPE生长中在AlGaN / GaN刻面结构上的表面扩散
作者:
Tetsuo Narita
;
Toshiki Hikosaka
;
Yoshio Honda
;
Masahito Yamaguchi
;
Nobuhiko Sawaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
3.
Vertical InGaN-based blue light emitting diode with plated metal base fabricated using laser lift-off technique
机译:
使用激光剥离技术制造的具有电镀金属基底的垂直InGaN基蓝色发光二极管
作者:
Tetsuzo Ueda
;
Masahiro Ishida
;
Satoshi Tamura
;
Yasuhiro Fujimoto
;
Masaaki Yuri
;
Takeshi Saito
;
Daisuke Ueda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
methods of deposition of films and coatings;
film growth and epitaxy;
light-emitting devices;
4.
Violet and UV light-emitting diodes grown on ZrB_2 substrate
机译:
在ZrB_2衬底上生长的紫色和紫外线发光二极管
作者:
S. Kamiyama
;
S. Takanami
;
Y. Tomida
;
K. Iida
;
T. Kawashima
;
S. Fukui
;
M. Iwaya
;
H. Kinoshita
;
T. Matsuda
;
T. Yasuda
;
S. Otani
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
light-emitting devices;
5.
Ultraviolet InAlGaN multiple-quantum-well laser diodes
机译:
紫外线InAlGaN多量子阱激光二极管
作者:
Michael Kneissl
;
David W. Treat
;
Mark Teepe
;
Naoko Miyashita
;
Noble M. Johnson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
quantum wells;
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
light-emitting devices;
6.
Thermal analysis and design of GaN-based LEDs for high power applications
机译:
用于大功率应用的GaN基LED的热分析和设计
作者:
L. Kim
;
G. W. Lee
;
W. J. Hwang
;
J. S. Yang
;
M. W. Shin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
thermal analysis, differential thermal analysis (DTA), differential thermogravimetric analysis;
light-emitting devices;
7.
Thermal stability investigation of copper-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors
机译:
铜栅AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热稳定性研究
作者:
Jin-Ping Ao
;
Naotaka Kubota
;
Daigo Kikuta
;
Yoshiki Naoi
;
Yasuo Ohno
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
III-V semiconductors;
field effect devices;
8.
Thermal annealing effects on the optical properties of high-indium InGaN epi-layers
机译:
热退火对高铟InGaN外延层光学性能的影响
作者:
Shih-Wei Feng
;
Yung-Chen Cheng
;
En-Chiang Lin
;
Hsiang-Chen Wang
;
C. C. Yang
;
Kung-Jen Ma
;
Ching-Hsing Shen
;
L. C. Chen
;
K. H. Kim
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
cold working, work hardening;
annealing, post-deformation annealing, quenching, tempering recovery, and crystallization;
9.
Thermal effects of substrates on the performance of AlGaN/GaN HFETs
机译:
基板的热效应对AlGaN / GaN HFET的性能的影响
作者:
Jeong Park
;
Chin C. Lee
;
J. W. Kim
;
J. S. Lee
;
W. J. Hwang
;
M. W. Shin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
composition, segregation;
defects and impurities;
impurity and defect levels;
energy states of adsorbed species;
field effect devices;
10.
The influence of a low temperature GaNP buffer on GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
低温GaNP缓冲液对金属有机化学气相沉积法生长GaN的影响
作者:
Masashi Tsukihara
;
Yoshiki Naoi
;
Hong-Dong Li
;
Tomoya Sugahara
;
Shiro Sakai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
atomic force microscopy (AFM);
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
chemical vapor deposition (includ;
11.
Lattice dynamics and Raman spectra of strained hexagonal GaN/AlN and GaN/AlGaN superlattices
机译:
应变六角形GaN / AlN和GaN / AlGaN超晶格的晶格动力学和拉曼光谱
作者:
V. Yu. Davydov
;
A. N. Smirnov
;
M. B. Smirnov
;
S. V. Karpov
;
I. N. Goncharuk
;
R. N. Kyutt
;
M. V. Baidakova
;
A.V. Sakharov
;
E. E. Zavarin
;
W. V. Lundin
;
H. Harima
;
K. Kisoda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
phonons or vibrational states in low-dimensional structures and anoscale materials;
III-V and II-VI semiconductors;
12.
Structural and optical properties of InGaN/GaN triangular-shaped quantum wells with different emission wavelengths
机译:
不同发射波长的InGaN / GaN三角量子阱的结构和光学性质
作者:
R. J. Choi
;
B. K. Lee
;
H. W. Shim
;
D. S. Kang
;
E.-K. Suh
;
C. H. Hong
;
H. J. Lee
;
Y. B. Hahn
;
H. K. Cho
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
quantum wells;
quantum dots;
13.
Sub-microscopic transient lens spectroscopy of InGaN/GaN quantum wells
机译:
InGaN / GaN量子阱的亚显微瞬态透镜光谱
作者:
Koichi Okamoto
;
Shigeo Fujita
;
Yoichi Kawakami
;
Axel Scherer
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
near-field scanning microscopy and spectroscopy;
charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping;
quantum wells;
quantum wells;
14.
Impact of SiC surface control on initial growth mode and crystalline quality of AlN grown by molecular-beam epitaxy
机译:
SiC表面控制对分子束外延生长AlN初始生长方式和晶体质量的影响
作者:
N. Onojima
;
J. Suda
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
structure of clean surfaces (reconstruction);
nucleation and growth: microscopic aspects;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
15.
Hall effect measurement of InAsN alloy films grown directly on GaAs(001) substrates by RF-MBE
机译:
通过RF-MBE测量直接在GaAs(001)衬底上生长的InAsN合金膜的霍尔效应测量
作者:
M. Kuroda
;
R. Katayama
;
S. Nishio
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
16.
Growth and characterization of reactive sputtered AlInN films
机译:
反应溅射AlInN薄膜的生长与表征
作者:
Qixin Guo
;
Kousuke Yahata
;
Tooru Tanaka
;
Mitsuhiro Nishio
;
Hiroshi Ogawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
deposition by sputtering;
17.
Growth of crack-free high-quality GaN on Si(111) using a low-temperature AlN interlayer: observation of tilted domain structures in the AlN interlayer
机译:
使用低温AlN中间层在Si(111)上生长无裂纹的高质量GaN:观察AlN中间层中的倾斜畴结构
作者:
Min-Ho Kim
;
Young-Gu Do
;
Hyon Choi Kang
;
Chel-Jong Choi
;
Do Young Noh
;
Tae-Yeon Seong
;
Seong-Ju Park
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
other semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
18.
Growth of GaN and InGaN layers by rapid thermal MOCVD
机译:
通过快速热MOCVD生长GaN和InGaN层
作者:
O. Kreinin
;
G. Bahir
;
J. Salzman
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
19.
Growth of Al_xGa_(1-x)N and GaN on photo-electrochemically patterned SiC substrates
机译:
在光电化学图案化的SiC衬底上生长Al_xGa_(1-x)N和GaN
作者:
U. Ahrend
;
U. Rossow
;
N. Riedel
;
M. Greve
;
F. Hitzel
;
A. Hangleiter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
atomic force microscopy (AFM);
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
20.
Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
机译:
使用生长温度氮退火通过MOVPE在GaN上生长InGaN量子点
作者:
R. A. Oliver
;
M. J. Kappers
;
J. H. Rice
;
J. D. Smith
;
R. A. Taylor
;
C. J. Humphreys
;
G. A. D. Briggs
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
quantum dots;
III-V semiconductors;
quantum dots;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
21.
Growth of high-quality non-polar AlN on 4H-SiC(11-20) substrate by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延在4H-SiC(11-20)衬底上生长高质量非极性AlN
作者:
N. Onojima
;
J. Suda
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
22.
Growth of homoepitaxial Ⅲ-nitride layers on bulk GaN single crystals by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延在块状GaN单晶上生长同质外延Ⅲ族氮化物层
作者:
S. Iwata
;
S. Kubo
;
M. Konishi
;
T. Saimei
;
S. Kurai
;
T. Taguchi
;
K. Kainosho
;
A. Yokohata
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
23.
Growth of wurtzite InN using MOVPE and its optical characteristics
机译:
MOVPE法生长纤锌矿InN及其光学特性
作者:
T. Matsuoka
;
H. Okamoto
;
M. Nakao
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
24.
Growth of optically-active InN with AlInN buffer by plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
等离子体辅助分子束外延生长具有AlInN缓冲液的旋光InN
作者:
V. N. Jmerik
;
V. A. Vekshin
;
T. V. Shubina
;
V. V. Ratnikov
;
S. V. Ivanov
;
B. Monemar
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
low-energy electron diffraction (LEED) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
experimental determination of defects by diffraction and scattering;
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
III-V semiconductors;
molecular, ato;
25.
Growth and evaluation of GaN with SiN interlayer by MOCVD
机译:
具有SiN中间层的GaN的MOCVD生长和评估
作者:
Yoshiki Naoi
;
Toshihiko Tada
;
Hongdong Li
;
Nan Jiang
;
Shiro Sakai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
26.
High-speed solar-blind AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors
机译:
高速太阳盲AlGaN基金属半导体金属光电探测器
作者:
N. Biyikli
;
I. Kimukimin
;
T. Kartaloglu
;
O. Aytur
;
E. Ozbay
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
photodiodes;
phototransistors;
photoresistors;
photodetectors (including infrared and CCD detectors);
27.
High transconductance AlGaN/GaN-HEMT with recessed gate on sapphire substrate
机译:
在蓝宝石衬底上具有凹入式栅极的高跨导AlGaN / GaN-HEMT
作者:
Hideyuki Okita
;
Katsuaki Kaifu
;
Juro Mita
;
Tomoyuki Yamada
;
Yoshiaki Sano
;
Hiroyasu Ishikawa
;
Takashi Egawa
;
Takashi Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
field effect devices;
28.
High voltage GaN-based power HEMTs with field plate technique: Breakdown voltage and switching characteristics
机译:
采用场板技术的高压GaN基功率HEMT:击穿电压和开关特性
作者:
Yoshiharu Takada
;
Wataru Saito
;
Masahiko Kuraguchi
;
Ichiro Omura
;
Kunio Tsuda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator);
field effect devices;
29.
High sensitivity, high resolution X-ray photoelectron analysis of InN
机译:
InN的高灵敏度,高分辨率X射线光电子分析
作者:
Marie Wintrebert-Fouquet
;
K. Scott A. Butcher
;
Motlan
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
deposition by sputtering;
mass spectrometry (including SIMS, multiphoton ionization and resonance ionization mass spectrometry, MALDI);
electron spectroscopy (X-ray photoelectron (XPS), auger electron spectroscopy (AES), etc.);
30.
High power GaN/AlGaN/GaN HEMTs operating at 2 to 25 GHz grown by plasma-assisted MBE
机译:
等离子辅助MBE可在2至25 GHz的频率下工作的高功率GaN / AlGaN / GaN HEMT
作者:
M. J. Manfra
;
N. G. Weimann
;
O. Mitrofanov
;
T. Waechtler
;
D. M. Tennant
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
amplifiers;
field effect devices;
31.
Hydride vapor phase epitaxy of AlN: thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth
机译:
AlN氢化物气相外延:铝源热力学分析及其在生长中的应用
作者:
Y. Kumagai
;
T. Yamane
;
T. Miyaji
;
H. Murakami
;
Y. Kangawa
;
A. Koukitu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
chemical thermodynamics;
32.
Influence of doping concentration on DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
机译:
掺杂浓度对硅衬底上AlGaN / GaN HEMT的DC和RF性能的影响
作者:
M. Marso
;
P. Javorka
;
Y. Dikme
;
H. Kalisch
;
J. Bernat
;
C. Schaefer
;
B. Schineller
;
A. v.d. Hart
;
M. Wolter
;
A. Fox
;
R. H. Jansen
;
M. Heuken
;
P. Kordos
;
H. Lueth
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor-device characterization, design, and modeling;
field effect devices;
33.
Optical properties of undoped AlN/GaN superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长非掺杂AlN / GaN超晶格的光学性质
作者:
V. Darakchieva
;
P. P. Paskov
;
M. Schubert
;
T. Paskova
;
B. Monemar
;
S. Kamiyama
;
M. Iwaya
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
34.
Optical properties of ZnGeN_2 epitaxial layer
机译:
ZnGeN_2外延层的光学性质
作者:
Takao Misaki
;
Akihiro Wakahara
;
Hiroshi Okada
;
Akira Yoshida
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
semiconductors;
other semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
35.
Optimization of the growth of Ga_(1-x)Mn_xN epilayers using plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE优化Ga_(1-x)Mn_xN外延层的生长
作者:
S. Kuroda
;
E. Bellet-Amalric
;
X. Biquard
;
J. Cibert
;
R. Giraud
;
S. Marcet
;
H. Mariette
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray absorption spectroscopy: EXAFS, NEXAFS, XANES, etc.;
composition and phase identification;
magnetic semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
36.
Over 200 mW on 365 nm ultraviolet light emitting diode of GaN-free structure
机译:
不含GaN的365 nm紫外发光二极管上的功率超过200 mW
作者:
Daisuke Morita
;
Masahiko Sano
;
Masashi Yamamoto
;
Mitsuhiro Nonaka
;
Katsuhiro Yasutomo
;
Kazuyuki Akaishi
;
Shin-ichi Nagahama
;
Takashi Mukai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
37.
Narrow bandgap group Ⅲ-nitride alloys
机译:
窄带隙Ⅲ族氮化物合金
作者:
J. Wu
;
W. Walukiewicz
;
K. M. Yu
;
J. W. Ager III
;
E. E. Haller
;
Hai Lu
;
William J. Schaff
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
infrared and raman spectra;
III-V semiconductors;
38.
Nitrides as spintronic materials
机译:
氮化物作为自旋电子材料
作者:
Tomasz Dietl
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
spin relaxation and scattering;
magnetic semiconductors;
III-V semiconductors;
39.
Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation
机译:
通过光激发提高GaAsN合金的发光效率
作者:
H. Yaguchi
;
T. Morioke
;
T. Aoki
;
Y. Hijikata
;
S. Yoshida
;
H. Akiyama
;
N. Usami
;
D. Aoki
;
K. Onabe
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
40.
Improvement of luminescence capability of Tb~(3+)-related emission by Al_xGa_(1-x)N
机译:
Al_xGa_(1-x)N改善Tb〜(3+)相关发射的发光能力
作者:
Y. Nakanishi
;
A. Wakahara
;
H. Okada
;
A. Yoshida
;
T. Ohshima
;
H. Itoh
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
41.
Increase in luminescence efficiency of GaPN layers by thermal annealing
机译:
通过热退火提高GaPN层的发光效率
作者:
A. Utsumi
;
H. Yonezu
;
Y. Furukawa
;
K. Momose
;
K. Kuroki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
cold working, work hardening;
annealing, post-deformation annealing, quenching, tempering recovery, and crystallization;
42.
High performance Schottky UV detectors (265-100 nm) using n-Al_(0.5)Ga_(0.5)N on AlN epitaxial layer
机译:
在AlN外延层上使用n-Al_(0.5)Ga_(0.5)N的高性能肖特基UV检测器(265-100 nm)
作者:
H. Miyake
;
H. Yasukawa
;
Y. Kida
;
K. Ohta
;
Y. Shibata
;
A. Motogaito
;
K. Hiramatsu
;
Y. Ohuchi
;
K. Tadatomo
;
Y. Hamamura
;
K. Fukui
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
photoconduction and photovoltaic effects;
photodetectors (including infrared and CCD detectors);
43.
High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80
机译:
硅掺杂的AlN / AlGaN超晶格中的高电子浓度,平均Al含量高达80%
作者:
Yoshitaka Taniyasu
;
Makoto Kasu
;
Kazuhide Kumakura
;
Toshiki Makimoto
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
44.
High electrostatic discharge protection of InGaN/GaN MQW LEDs by using GaN Schottky diodes
机译:
使用GaN肖特基二极管对InGaN / GaN MQW LED进行高静电放电保护
作者:
Chin-Hsiang Chen
;
Shoou-Jinn Chang
;
Yan-Kuin Su
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
light-emitting devices;
45.
High brightness InGaN/GaN LEDs with indium-tin-oxide as p-electrode
机译:
氧化铟锡作为p电极的高亮度InGaN / GaN LED
作者:
C. S. Chang
;
S. J. Chang
;
Y. K. Su
;
W. C. Lai
;
C. H. Kuo
;
C. K. Wang
;
Y. C. Lin
;
Y. P. Hsu
;
S. C. Shei
;
H. M. Lo
;
J. C. Ke
;
J. K. Sheu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
tunneling;
quantum wells;
light-emitting devices;
46.
Isoelectronic doping of AlGaN alloys
机译:
AlGaN合金的等电子掺杂
作者:
S. V. Novikov
;
L. X. Zhao
;
I. Harrison
;
C. T. Foxon
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
47.
Influence of substrate polarity on growth of InN films by RF-MBE
机译:
基板极性对RF-MBE生长InN薄膜的影响
作者:
Fumie Matsuda
;
Yoshiki Saito
;
Tomo Muramatsu
;
Tomohiro Yamaguchi
;
Yuriko Matsuo
;
Akinori Koukitu
;
Tsutomu Araki
;
Yasushi Nanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
48.
Influence of the carrier density on the optical gain and refractive index change in InGaN laser structures
机译:
载流子密度对InGaN激光器结构中光学增益和折射率变化的影响
作者:
M. Roewe
;
P. Michler
;
J. Gutowski
;
V. Kuemmler
;
A. Lell
;
V. Haerle
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
stimulated emission;
III-V semiconductors;
quantum wells;
49.
InGaN light emitting diodes of micro-ring geometry
机译:
微环几何形状的InGaN发光二极管
作者:
H. W. Choi
;
C. W. Jeon
;
M. D. Dawson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
light-emitting devices;
50.
InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes on an AlN/sapphire template by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积在AlN /蓝宝石模板上的InGaN多量子阱发光二极管
作者:
Baijun Zhang
;
Takashi Egawa
;
Yang Liu
;
Hiroyasu Ishikawa
;
Takashi Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
light-emitting devices;
51.
Insulating and optical properties of boron nitride for wide-band-gap Ⅲ-N compounds
机译:
宽带隙Ⅲ-N化合物氮化硼的绝缘和光学性质
作者:
H. Dumont
;
B. Bayle
;
B. Bonnetot
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
other inorganic semiconductors;
other nonmetallic inorganics;
clean metal, semiconductor, and insulator surfaces;
52.
Smart Cut~(TM) SiCOI wafers for MBE GaN epitaxy
机译:
用于MBE GaN外延的Smart Cut〜(TM)SiCOI晶片
作者:
F. Letertre
;
J. Brault
;
I. Matko
;
F. Enjalbert
;
E. Bellet-Amalric
;
G. Feuillet
;
C. Richtarch
;
B. Faure
;
L. DiCioccio
;
R. Madar
;
B. Daudin
;
E. Monroy
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
thin film structure and morphology;
methods of deposition of films and coatings;
film growth and epitaxy;
53.
Magnesium diffusion in wurtzite-type GaN crystal
机译:
镁在纤锌矿型GaN晶体中的扩散
作者:
K. Harafuji
;
T. Tsuchiya
;
K. Kawamura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors;
diffusion of impurities;
54.
Low resistivity contacts to p-type GaN by plasma treatment
机译:
低电阻率通过等离子体处理与p型GaN接触
作者:
H. W. Choi
;
C. W. Jeon
;
M. D. Dawson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
III-V semiconductors;
55.
Spatially resolved cathodoluminescence study of selected-area ELO-GaN grown on Si(111) substrates
机译:
在Si(111)衬底上生长的选定区域ELO-GaN的空间分辨阴极发光研究
作者:
H. Naoi
;
M. Narukawa
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
linear defects: dislocations, disclinations;
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
56.
Shallow donors in GaN
机译:
GaN中的浅施主
作者:
J. A. Freitas
;
Jr.
;
W. J. Moore
;
B. V. Shanabrook
;
G. C. B. Braga
;
D. D. Koleske
;
S. K. Lee
;
S. S. Park
;
J. Y. Han
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
57.
Low interface state density AlGaN/GaN MOSHFETs with photochemical vapor deposition SiO_2 layers
机译:
具有光化学气相沉积SiO_2层的低界面态密度AlGaN / GaN MOSHFET
作者:
C. K. Wang
;
S. J. Chang
;
Y. K. Su
;
Y. Z. Chiou
;
T. K. Lin
;
B. R. Huang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electron states at surfaces and interfaces;
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator);
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
field effect devices;
58.
Low-dislocation density AlGaN layer by air-bridged lateral epitaxial growth
机译:
空气桥接横向外延生长的低位错密度AlGaN层
作者:
Yasutoshi Kawaguchi
;
Gaku Sugahara
;
Atsunori Mochida
;
Toshitaka Shimamoto
;
Akihiko Ishibashi
;
Toshiya Yokogawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
microscopic defects (voids, inclusions, etc.);
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCV;
59.
Si doping effects on the electrical and structural properties of high Al composition Al_xGa_(1-x)N films grown by MOCVD
机译:
Si掺杂对MOCVD生长的高Al成分Al_xGa_(1-x)N薄膜电学和结构性能的影响
作者:
P. Cantu
;
S. Keller
;
F. Wu
;
P. Waltereit
;
A. E. Romanov
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
experimental determination of defects by diffraction and scattering;
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
point defects (vacancies, interstitials, color centers, etc.);
60.
Room-temperature ferromagnetism in Cr-doped GaN films grown by MOMBE on GaAs(111)A substrates
机译:
在GaAs(111)A衬底上通过MOMBE生长的Cr掺杂GaN薄膜中的室温铁磁性
作者:
T. Suemasu
;
K. Yamaguchi
;
H. Tomioka
;
F.Hasegawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
magnetic semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
61.
Schottky barrier heights of Au, Pd and Ni on n-GaN evaluated using mesa-structure diodes
机译:
使用台面结构二极管评估了n-GaN上Au,Pd和Ni的肖特基势垒高度
作者:
T. Makimoto
;
M. Kashiwa
;
T. Kido
;
N. Matsumoto
;
K. Kumakura
;
N. Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electron states at surfaces and interfaces;
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
III-V semiconductors;
62.
Fabrication of sub-50-nm-gate i-AlGaN/GaN HEMTs on sapphire
机译:
在蓝宝石上制造亚50纳米栅极i-AlGaN / GaN HEMT
作者:
Akira Endoh
;
Yoshimi Yamashita
;
Keiji Ikeda
;
Masataka Higashiwaki
;
Kohki Hikosaka
;
Toshiaki Matsui
;
Satoshi Hiyamizu
;
Takashi Mimura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
III-V semiconductors;
field effect devices;
63.
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
机译:
通过使用新的图案形状掩模减少横向外延生长的GaN的晶体学倾斜
作者:
G. Feng
;
X. M. Shen
;
J. J. Zhu
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
J. W. Liang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
64.
Fabrication of LED based on Ⅲ-Ⅴ nitride and its applications
机译:
基于Ⅲ-Ⅴ族氮化物的LED的制备及其应用
作者:
Naoki Shibata
;
Toshiya Uemura
;
Hisao Yamaguchi
;
Takemasa Yasukawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
light-emitting devices;
65.
Fabrication of InN/Si heterojunctions with rectifying characteristics
机译:
具有整流特性的InN / Si异质结的制备
作者:
Masahiro Yoshimoto
;
Yoshiaki Yamamoto
;
Junji Saraie
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
interfaces;
heterostructures;
nanostructures;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
66.
Fabrication of AlGaN/GaN MIS-HFET using an Al_2O_3 high k dielectric
机译:
使用Al_2O_3高k电介质制备AlGaN / GaN MIS-HFET
作者:
Ki-Yeol Park
;
Hyun-Ick Cho
;
Jae-Hoon Lee
;
Sung-Bun Bae
;
Chang-Min Jeon
;
Jong-Lam Lee
;
Dae-Youn Kim
;
Chun-Soo Lee
;
Jung-Hee Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator);
III-V semiconductors;
field effect devices;
67.
Field-compensated quaternary InAlGaN/GaN quantum wells
机译:
场补偿四元InAlGaN / GaN量子阱
作者:
F. Kalaietzakis
;
M. Androulidaki
;
N. T. Pelekanos
;
E. Dimakis
;
E. Bellet-Amalric
;
D. Jalabert
;
D. Cengher
;
K. Tsagaraki
;
E. Aperathitis
;
G. Konstantinidis
;
A. Georgakilas
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum wells;
strain-induced piezoelectric fields;
quantum wells;
68.
Quantum-well thickness dependence of stimulated emission in InGaN/GaN structures
机译:
InGaN / GaN结构中受激发射的量子阱厚度依赖性
作者:
S. Jursenas
;
S. Miasojedovas
;
G. Kurilcik
;
A. Zukauskas
;
Shih-Wei Feng
;
Yung-Chen Cheng
;
C. C. Yang
;
Cheng-Ta Kuo
;
Jian-Shihn Tsang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
stimulated emission;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
quantum wells;
69.
Excitation energy transfer between luminescent centers of microcrystalline InGaN
机译:
微晶InGaN发光中心之间的激发能转移
作者:
Hisashi Kanie
;
Takaya Yoshimura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
point defects (vacancies, interstitials, color centers, etc.) and defect clusters;
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
70.
Exciton-exciton correlation effects on FWM in GaN
机译:
激子-激子相关性对GaN中的FWM的影响
作者:
Satoru Adachi
;
Hirotaka Sasakura
;
Shunichi Muto
;
Kouji Hazu
;
Takayuki Sota
;
Shigefusa F. Chichibu
;
Takashi Mukai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical transient phenomena: quantum beats, photon echo, free-induction decay, dephasings and revivals, optical nutation, and self-induced transparency;
intrinsic properties of excitons;
optical absorption spectra;
III-V semiconductors;
time-resolved opt;
71.
Raman study of the strain in GaN films by comparison with a free-standing GaN
机译:
与独立式GaN进行比较的拉曼研究GaN薄膜中的应变
作者:
T. Inoue
;
Y. Toda
;
K. Hoshino
;
T. Someya
;
Y. Arakawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
phonons in crystal lattices;
III-V and II-VI semiconductors;
72.
PVT growth of bulk AlN crystals with low oxygen contamination
机译:
低氧污染的块状AlN晶体的PVT生长
作者:
M. Bickermann
;
B. M. Epelbaum
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
impurity concentration, distribution, and gradients;
III-V and II-VI semiconductors;
semiconductors;
III-V semiconductors;
growth from vapor;
73.
Exciton localization in InGaN/GaN single quantum well structures
机译:
InGaN / GaN单量子阱结构中的激子定位
作者:
D. M. Graham
;
A. Soltani Vala
;
P. Dawson
;
M. J. Godfrey
;
M. J. Kappers
;
T. M. Smeeton
;
J. S. Barnard
;
C. J. Humphreys
;
E. J. Thrush
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
quantum wells;
74.
Free-standing HVPE-GaN Layers
机译:
独立式HVPE-GaN层
作者:
H. Larsson
;
D. Gogova
;
A. Kasic
;
R. Yakimova
;
B. Monemar
;
C. R. Miskys
;
M. Stutzmann
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
75.
Polarization-induced surface band bendings of GaN films studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy
机译:
用同步加速器辐射光发射光谱研究偏振引起的GaN薄膜的表面带弯曲
作者:
Ho Won Jang
;
Kyu Wook Ihm
;
Tai-Hee Kang
;
Jung-Hee Lee
;
Jong-Lam Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
metal-nonmetal contacts;
clean metal, semiconductor, and insulator surfaces;
76.
Preparation of AlN:Mn films by metalorganic chemical vapor deposition for thin film electroluminescent devices
机译:
金属有机化学气相沉积法制备薄膜电致发光器件AlN:Mn薄膜
作者:
K. Hara
;
A. Sato
;
K. Azumada
;
T. Atsumori
;
M. Shiratori
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
electroluminescence;
77.
Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers
机译:
(In / Al)GaN二极管激光器的增益谱和电流引起的折射率变化
作者:
U. T. Schwarz
;
E. Sturm
;
W. Wegscheider
;
V. Kuemmler
;
A. Lell
;
V. Haerle
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
efficiency, stability, gain, and other operational parameters;
III-V and II-VI semiconductors;
78.
GaInNP MQW structure LED grown by laser-assisted MOCVD
机译:
通过激光辅助MOCVD生长的GaInNP MQW结构LED
作者:
S. Yoshida
;
J. Li
;
Y. Itoh
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
79.
Oxygen doping of c-plane GaN by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法对c面GaN进行氧掺杂
作者:
Sten Heikman
;
Stacia Keller
;
Steven P. DenBaars
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
80.
Giant second-harmonic generation due to quasi-phase matching in a one-dimensional GaN photonic crystal
机译:
一维GaN光子晶体中的准相位匹配导致巨大的二次谐波生成
作者:
J. Torres
;
D. Coquillat
;
R. Legros
;
J. P. Lascaray
;
S. Ruffenach
;
O. Briot
;
R. L. Aulombard
;
D. Peyrade
;
Y. Chen
;
M. Le Vassor dYerville
;
E. Centeno
;
D. Cassagne
;
J. P. Albert
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
photonic bandgap materials;
frequency conversion;
harmonic generation, including higher-order harmonic generation;
III-V semiconductors;
81.
Photoluminescence and optical absorption edge for MOVPE-grown InN
机译:
MOVPE生长的InN的光致发光和光吸收边缘
作者:
K. Sugita
;
H. Takatsuka
;
A. Hashimoto
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
82.
Photoluminescence and Raman study of hexagonal InN and In-rich InGaN alloys
机译:
六方InN和In富InGaN合金的光致发光和拉曼研究
作者:
V. Yu. Davydov
;
A. A. Klochikhin
;
V. V. Emtsev
;
A. N. Smirnov
;
I. N. Goncharuk
;
A. V. Sakharov
;
D. A. Kurdyukov
;
M. V. Baidakova
;
V. A. Vekshin
;
S. V. Ivanov
;
J. Aderhold
;
J. Graul
;
A. Hashimoto
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
83.
Phase separation and superlattice formation by spontaneous vertical composition modulation in GaAs_(1-x)N/GaAs
机译:
GaAs_(1-x)N / GaAs中自发垂直成分调制的相分离和超晶格形成
作者:
H. Dumont
;
L. Auvray
;
Y. Monteil
;
O. Marty
;
G. Patriarche
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
superlattices;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
84.
Electric field emission from nitride semiconductor grown on Mo substrate
机译:
Mo基片上生长的氮化物半导体的电场发射
作者:
S. Nishida
;
T. Yamanaka
;
S. Hasegawa
;
H. Asahi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
field emission, ionization, evaporation, and desorption, molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
85.
Electrically biased photoreflectance study of cubic GaN/GaAs(001) heterointerface
机译:
立方GaN / GaAs(001)异质界面的电偏置光反射研究
作者:
Ryuji Katayama
;
Masayuki Kuroda
;
Kentaro Onabe
;
Yasuhiro Shiraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
III-V semiconductors;
electrooptical effects;
semiconductors;
86.
Electroluminescence efficiency of InGaN light emitting diodes: dependence on AlGaN:Mg electron blocking layer width and Mg doping profile
机译:
InGaN发光二极管的电致发光效率:取决于AlGaN:Mg电子阻挡层宽度和Mg掺杂分布
作者:
T. Stephan
;
K. Koehler
;
M. Kunzer
;
P. Schlotter
;
J. Wagner
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
electroluminescence;
light-emitting devices;
87.
Electronic Raman scattering from intersubband transitions in GaN/AlGaN quantum wells
机译:
GaN / AlGaN量子阱中子带间跃迁引起的电子拉曼散射
作者:
M. P. Halsall
;
B. Sherliker
;
P. Harrison
;
V. D. Jovanovic
;
D. Indjin
;
Z. Ikonic
;
T. Wang
;
M. A. Whitehead
;
P. J. Parbrook
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum wells;
III-V and II-VI semiconductors;
88.
Coexistence in photoluminescence of free exciton and bound exciton in low nitrogen content GaInNAs layers
机译:
氮含量低的GaInNAs层中自由激子和结合激子的光致发光共存
作者:
R. Intartaglia
;
T. Taliercio
;
B. Gil
;
P. Lefebvre
;
P. Valvin
;
T. Bretagnon
;
M.-A. Pinault
;
E. Tournie
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
89.
Co-implantation of Mn + N into p-type GaN for high T_C ferromagnetism
机译:
Mn + N共注入p型GaN中以实现高T_C铁磁性
作者:
Jeong Min Baik
;
Ho Won Jang
;
Hyun-Joon Shin
;
Min-Kyu Lee
;
Yoon Shon
;
Tae Won Kang
;
Jong-Lam Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
magnetic semiconductors;
90.
Chemical mechanical polishing for decoration and measurement of dislocations on freestanding GaN wafers
机译:
化学机械抛光,用于装饰和测量独立式GaN晶片上的位错
作者:
Xueping Xu
;
Robert P. Vaudo
;
George R. Brandes
;
Jie Bai
;
Pelagia Irene Gouma
;
Michael Dudley
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
atomic force microscopy (AFM);
91.
Characterization of recombination processes in GaN by cathodoluminescence in-depth spectroscopy
机译:
阴极发光深度光谱法表征GaN中的重组过程
作者:
F. Ishikawa
;
H. Hasegawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
theory, models, and numerical simulation;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
92.
Characterization of the GaN-rich side of GaNP grown by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的GaNP的富GaN侧面的表征
作者:
Yuhzoh Tsuda
;
Hirokazu Mouri
;
Masahiro Araki
;
Yoshihiro Ueta
;
Takayuki Yuasa
;
Mototaka Taneya
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
93.
Characterization of MOVPE-grown GaN layers on GaAs (111)B with a cubic-GaN (111) epitaxial intermediate layer
机译:
具有立方GaN(111)外延中间层的GaAs(111)B上MOVPE生长的GaN层的表征
作者:
S. Sanorpim
;
E. Takuma
;
R. Katayama
;
H. Ichinose
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
linear defects: dislocations, disclinations;
stacking faults and other planar or extended defects;
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
94.
Carrier transport and recombination in InGaN/GaN heterostructures, studied by optical four-wave mixing technique
机译:
光学四波混频技术研究InGaN / GaN异质结构中的载流子传输和复合
作者:
R. Aleksiejunas
;
M. Sudzius
;
V. Gudelis
;
T. Malinauskas
;
K. Jarasiunas
;
Q. Fareed
;
R. Gaska
;
M. S. Shur
;
J. Zhang
;
J. Yang
;
E. Kuokstis
;
M. A. Khan
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
nondestructive testing: optical methods;
95.
Cathodoluminescence studies of large bulk AlN crystals
机译:
大块AlN晶体的阴极发光研究
作者:
E. Silveira
;
J. A. Freitas Jr.
;
G. A. Slack
;
L. J. Schowalter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
intrinsic properties of excitons;
optical absorption spectra;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
96.
Carrier capture times in InGaN/GaN multiple quantum wells
机译:
InGaN / GaN多量子阱中的载流子捕获时间
作者:
W. H. Fan
;
S. M. Olaizola
;
T. Wang
;
P. J. Parbrook
;
J.-P. R. Wells
;
D. J. Mowbray
;
M. S. Skolnick
;
A. M. Fox
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
quantum wells;
97.
Carbon doping of cubic GaN under gallium-rich growth conditions
机译:
富镓生长条件下立方氮化镓的碳掺杂
作者:
D. J. As
;
D. G. Pacheco-Salazar
;
S. Potthast
;
K. Lischka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
98.
Comparative study of InN growth on Ga- and N-polarity GaN templates by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延在Ga和N极性GaN模板上InN生长的比较研究
作者:
K. Xu
;
W. Terashima
;
T. Hata
;
N. Hashimoto
;
M. Yoshitani
;
B. Cao
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
semiconductor surfaces;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
99.
Comparative study between laser performance and carrier lifetime of 400 nm emitting GaInN/GaN laser diodes
机译:
400 nm发射GaInN / GaN激光二极管的激光性能与载流子寿命的比较研究
作者:
C. Netzel
;
S. Heppel
;
F. Hitzel
;
S. Miller
;
A. Weimar
;
G. Bruederl
;
H. J. Lugauer
;
A. Lell
;
V. Haerle
;
A. Hangleiter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
100.
Characteristics of AlN growth on vicinal SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在邻近SiC(0001)衬底上生长AlN的特性
作者:
J. Brault
;
E. Bellet-Amalric
;
S. Tanaka
;
F. Enjalbert
;
D. Le Si Dang
;
E. Sarigiannidou
;
J.-L. Rouviere
;
G. Feuillet
;
B. Daudin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
atomic force microscopy (AFM);
thin film structure and morphology;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
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