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首页> 外文会议>International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP >InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes on an AlN/sapphire template by metalorganic chemical vapor deposition
【24h】

InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes on an AlN/sapphire template by metalorganic chemical vapor deposition

机译：通过金属有机化学气相沉积在AlN /蓝宝石模板上的InGaN多量子阱发光二极管

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An InGaN multiple-quantum-well (MQW) LED grown on AlN/sapphire template is reported. Comparing with the conventional LED on sapphire using a low temperature (LT) buffer layer, the LED on AlN/sapphire template shows better electrical and optical characteristics. The crystalline quality of the LED structure was investigated by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). The zeroth, -first- and -second-order satellite peaks and the Pendelloesung fringes can be seen clearly in (0004) XRD ω/2θ rocking curves for the LED on AlN/sapphire template. While, for the LED on sapphire, only the zeroth and -first-order satellite peaks can be seen. The full width at half maximum (FWHM) of GaN in (0004) ω scan is about 82.8 and 231.6 arcsec for the LED grown on AlN/sapphire template and sapphire, respectively. The dislocation density is 5 x 10~7-3 x 10~8 cm~(-2) for the LED on AlN/sapphire template and 2-5 x 10~9 cm~(-2) for the LED on sapphire. The reverse leakage current of the LED on AlN/sapphire template is over one order of magnitude lower than that on sapphire due to the low threading dislocation density in the epilayer. The optical power of the LED on AlN/sapphire template increased sublinearly up to 300 mA injection current.
机译：报道了在AlN /蓝宝石模板上生长的InGaN多量子阱（MQW）LED。与使用低温（LT）缓冲层的蓝宝石上的常规LED相比，AlN /蓝宝石模板上的LED显示出更好的电学和光学特性。通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）研究了LED结构的晶体质量。在AlN /蓝宝石模板上的LED的（0004）XRDω/2θ摇摆曲线中，可以清楚地看到零，一，二阶卫星峰和Pendelloesung条纹。而对于蓝宝石上的LED，只能看到零阶和一阶卫星峰值。对于在AlN /蓝宝石模板和蓝宝石上生长的LED，在（0004）ω扫描中GaN的半峰全宽（FWHM）分别约为82.8和231.6 arcsec。对于AlN /蓝宝石模板上的LED，位错密度为5 x 10〜7-3 x 10〜8 cm〜（-2），对于蓝宝石上的LED，位错密度为2-5 x 10〜9 cm〜（-2）。由于外延层中的低位错位密度，AlN /蓝宝石模板上的LED反向泄漏电流比蓝宝石上的反向泄漏电流低一个数量级。 AlN /蓝宝石模板上的LED的光功率亚线性增加，最高注入电流为300 mA。

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