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首页> 外文会议>International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP >Nitrides as spintronic materials
【24h】

Nitrides as spintronic materials

机译：氮化物作为自旋电子材料

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A report on the progress in spintronics-related works involving group III nitrides is given, emphasizing contradictory opinions concerning the basic characteristics of these materials. The actual position of magnetic impurities in the GaN lattice as well as a possible role of magnetic precipitates is discussed. The question as to whether the hole introduced by Mn impurities is localized tightly on the Mn d levels or rather on the hybridized p-d bonding states is addressed. The nature of spin-spin interactions and magnetic phases, as provided by theoretical and experimental findings, is outlined and the possible origins of the high-temperature ferromagnetism observed in (Ga, Mn)N are presented. Experimental studies aimed at evaluating characteristic times of spin coherence and dephasing in GaN are described.
机译：给出了涉及自旋电子学的涉及III族氮化物的工作进展的报告，其中强调了关于这些材料的基本特性的矛盾观点。讨论了GaN晶格中磁性杂质的实际位置以及磁性沉淀物的可能作用。解决了关于由Mn杂质引入的空穴是否紧密地定位在Mn d水平上或者更确切地说在混杂的p-d键合状态上的问题。概述了理论和实验发现所提供的自旋-自旋相互作用和磁相的性质，并介绍了在（Ga，Mn）N中观察到的高温铁磁性的可能来源。描述了旨在评估GaN自旋相干和相移特征时间的实验研究。

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