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首页> 外文会议>International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP >The influence of a low temperature GaNP buffer on GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
【24h】

The influence of a low temperature GaNP buffer on GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition

机译：低温GaNP缓冲液对金属有机化学气相沉积法生长GaN的影响

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We developed a new buffer layer to grow GaN epilayers with a low dislcoation density by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The buffer layer consists of a 20 nm GaNP layer deposited at low temperature (500 ℃) on sapphire substrate using phosphine (PH_3) as phosphorus source. With optimalized PH, flow rate, the quality of the GaNP buffer GaN epilayer is improved, demonstrated by X-ray diffraction, transmission electron miscroscopy, atomic force microscopy, and cathodoluminescence. The dislocation density in the GaN buffer GaN epilayer is decreased to as low as 5 x 10~8 cm~(-2) from 1-5 x 10~9 cm~(-2) in a conventional GaN epilayer. The dislocation reduction mechanism were discussed by investigating the growth evolution beginning from the GaNP buffer.
机译：我们开发了一种新的缓冲层，以通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长具有低剥离密度的GaN外延层。缓冲层由在低温（500℃）下以磷化氢（PH_3）作为磷源沉积在蓝宝石衬底上的20 nm GaNP层组成。通过优化的PH，流速，X射线衍射，透射电子显微镜，原子力显微镜和阴极发光证明了GaNP缓冲GaN外延层的质量。 GaN缓冲GaN外延层中的位错密度从常规GaN外延层中的1-5 x 10〜9 cm〜（-2）降低到5 x 10〜8 cm〜（-2）。通过研究从GaNP缓冲液开始的生长演变，讨论了位错减少机制。

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