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Ion flux in a capacitively coupled rf discharge in NF_3

机译:NF_3电容耦合射频放电中的离子通量

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摘要

Starting from a phenomenological model yielding the self-bias voltage as a function of the absorbed radio-frequency (rf) power of an asymmetric capacitively coupled discharge in NF_3 we study the dependence of the ion flux onto the powered electrode on the gas pressure. Solving numerically the model's basic equations we are able to extract the magnitude of the ion flux (at three different gas pressures) in a technological etching device (Alcatel GIR 220) by using easily measurable quantities, notably the self-bias voltage and absorbed rf power.
机译:从产生自偏置电压的现象模型开始,该自偏置电压是NF_3中非对称电容耦合放电吸收的射频(rf)功率的函数,我们研究了离子通量对有源电极上气压的依赖性。通过数值求解模型的基本方程,我们能够通过使用易于测量的量(特别是自偏置电压和吸收的rf功率)来提取技术蚀刻设备(阿尔卡特GIR 220)中的离子通量(在三种不同的气压下) 。

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