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首页> 外文会议>ISTFA 2008 : Conference proceedings from the 34th international symposium for testing and failure analysis >Calibration of Nanoprobe Capacitance-Voltage Spectroscopy (NCVS)
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Calibration of Nanoprobe Capacitance-Voltage Spectroscopy (NCVS)

机译：纳米探针电容电压谱（NCVS）的校准

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MOSFET devices are routinely measured at the probe padrnlevel with conventional capacitance-voltage (CV)rnmeasurement instruments. Such measurements are done at thernfront end of line (FEOL) and back end of line (BEOL) processrncompletion levels. The CV data is used to monitor the processrnand verify certain parametrics such as effective oxidernthickness (EOT), Tox, gate drain overlap capacitance (Millerrncapacitance), trapped charge, diffusion/halo implant oxidernleakage, doping concentration, threshold implant level andrnmany others. This type of testing is treated at length in thernclassic text of Nichollian and Brews [1]. The introduction ofrnNanoprobe Capacitance Voltage Spectroscopy (NCVS) ofrndiscrete MOSFET devices and the method of performingrnscanning capacitance imaging (SCM) have been previouslyrnpresented [2]. In that work, the authors used a capacitancernsensor to measure the capacitance of an individual failingrnembedded DRAM capacitor. This paper will describernnanoprobe CV measurements of a discrete finger device fromrna multiple finger test structure and show comparable resultsrnobtained at the probe pad level, using an improved version ofrnthe earlier capacitance sensor. By comparing the BEOL testrnstructure measurements with NCVS results from a singlernfinger, we will verify and calibrate the nanoprobing technique.
机译：MOSFET器件通常使用常规的电容电压（CV）测量仪器在探针焊盘水平进行测量。此类测量是在生产线前端（FEOL）和生产线后端（BEOL）的工艺完成水平进行的。 CV数据用于监控工艺并验证某些参数，例如有效氧化物厚度（EOT），Tox，栅极漏极重叠电容（Millerrncapacitance），捕获电荷，扩散/卤化物注入氧化物泄漏，掺杂浓度，阈值注入水平以及其他许多参数。在Nichollian and Brews [1]的经典著作中对这种类型的测试进行了详尽的论述。先前已经提出了离散MOSFET器件的纳米探针电容电压谱（NCVS）的介绍和执行扫描电容成像（SCM）的方法[2]。在这项工作中，作者使用电容传感器来测量单个故障嵌入式DRAM电容器的电容。本文将描述从多指测试结构对离散手指设备进行纳米探针CV测量，并显示使用较早电容传感器的改进版本在探针垫一级获得的可比结果。通过将BEOL测试结构的测量结果与单个手指的NCVS结果进行比较，我们将验证和校准纳米探测技术。

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