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【24h】

An approach of lateral RF MEMS switch for high performance

机译：横向RF MEMS开关实现高性能的方法

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This paper presents a novel type of lateral series microwave switch on a silicon-on-insulator (SOI) substrate with a coplanar waveguide (CPW) configuration. It is built with a cantilever beam at the side of the gap of the microwave t-line and laterally driven by electrostatic force. The mechanical structures are made of single-crystal-silicon and fabricated by deep reactive ion etch (DRIE) technology. Evaporated aluminum serves as contact material. The fabrication process only needs one mask. The measured result shows up to 26.5 GHz the isolation of the switch is over 18 dB. The threshold voltage is about 12 volts.
机译：本文介绍了一种新型的在绝缘体上硅（SOI）衬底上具有共面波导（CPW）配置的横向串联微波开关。它在微波t线的间隙一侧装有悬臂梁，并由静电力横向驱动。机械结构由单晶硅制成，并通过深反应离子蚀刻（DRIE）技术制造。蒸发的铝用作接触材料。制造过程仅需要一个掩模。测量结果显示，高达26.5 GHz的开关隔离度超过18 dB。阈值电压约为12伏。

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