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Device physics studies of large signal transient performance and large signal power amplification performance of 0.1 micron channel length thin film SOI/CMOS IC and 0.1 micron basewidth HBT MMIC's

机译:0.1微米通道长度薄膜SOI / CMOS IC和0.1微米基宽HBT MMIC的大信号瞬态性能和大信号功率放大性能的器件物理研究

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摘要

Preliminary results are presented for device physics studies of large sigal transient performance and large signal power amplification of 0.1 micron channel length thin film SOI/CMOS IC and 0.1 micron base width HBT MMICs.
机译:为器件物理研究提供了初步结果,该器件物理研究了0.1微米沟道长度的薄膜SOI / CMOS IC和0.1微米基宽HBT MMIC的大信号瞬态性能和大信号功率放大。

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